H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

功能材料, 2002, 33(5): 524-531.

H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

张一兵 ^1, , 翁文剑 ^2, , 杜丕一 ^3, , 沈鸽 ^4, , 韩高荣 ^5, , 叶志镇 ^6,

1.上饶师范学院化学系,江西,上饶,334001

2.硅材料科学国家重点实验室,浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

3.硅材料科学国家重点实验室,浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

4.硅材料科学国家重点实验室,浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

5.硅材料科学国家重点实验室,浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

6.硅材料科学国家重点实验室,浙江大学材料系,浙江,杭州,310027

基金项目: 上饶师范学院校科研和教改项目(0111) 国家自然科学基金(50072023) 国家重点实验室基金(01058)

关键词：铌酸锂 , 薄膜 , sol-gel法 , H2C2O4

Infection of H2C2O4 as stabilizers on the LiNbO3 thin films fabricated by sol-gel process

研究了分别以H2C2O4、HNO3、HCOOH和CH 3COOH作稳定剂的LiNbO3薄膜先驱液的稳定性,发现H 2C2O4作稳定剂的先驱液的稳定性最好;用sol-gel法在Si(110)基板上制备了以H2C2O4作稳定剂的LiNbO3薄膜,并对LiNbO3薄膜进行了IR、XRD和SEM表征,结果表明,生成的LiNbO3为多晶,与HNO3相比,以H2C2O4作稳定剂制备的LiNbO3薄膜形貌较差.

参考文献

[1]	BOUQUET V;LongoE;LeiteER .[J].Journal of Materials Research,1999,14(07):3115-3121.
[2]	Won D H;Hor N H;No K .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1996,35:210-215.
[3]	Partlow D P;Greggi J .[J].Journal of Materials Research,1987,2(05):595-605.
[4]	Ono S;Hirano S .[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80(11):2869-2875.
[5]	中本一雄.无机和配位化合物的红外与拉曼光谱[M].北京:化学工业出版社,1991
[6]	DEROUIN T A;Lakeman C D E;Wu X H et al.[J].Journal of Materials Research,1997,12(05):1391-1400.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

H2C2O4稳定剂对SOl-Gel法制备LiNbO3薄膜的影响

Infection of H2C2O4 as stabilizers on the LiNbO3 thin films fabricated by sol-gel process

参考文献