硅衬底MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森结的制备与特性

低温物理学报 , 2009, 31(2): 166-170.

硅衬底MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森结的制备与特性

柯一青 ^1, , 周迪帆 ^2, , 刘珏 ^3, , 曾敏 ^4, , 朱红妹 ^5, , 张义邴 ^6,

1.上海大学理学院物理系上海,200444

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6.上海大学理学院物理系上海,200444

关键词：约瑟夫森结 , MgB2 , 超导薄膜 , 电子束蒸发 , Si衬底

PREPARATION AND CHARACTERISTICS OF MgB2-B-MgB2 JOSEPHSON JUNCTION ON Si(111)SUBSTRATE

利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B-MgB2/Si(111)薄膜表现出明显的SNS约瑟夫森结特性,而在5nm和100nm处薄膜分别是整体超导和正常金属特性.在同一温度下,随着硼层厚度的增加,临界结电流减小,对同一厚度下,临界结电流随着温度的增加而减小.同时,实验指出,夹心硼SNS超导MgB2约瑟夫森结的电流-电压(I-V)曲线具有回滞现象,符合SM模型.

参考文献

[1]	M van Zalk;A Brlnkman;A A Golubov .Fabrication of multiband MgB_2 tunnel junctions for transport measurements[J].Superconductor Science & Technology,2006(5):226-230.
[2]	Y. Zhang;D. Kinion;J. Chen;John Clarke;D. G. Hinks;G. W. Crabtree .MgB_(2) tunnel junctions and 19 K low-noise dc superconducting quantum interference devices[J].Applied physics letters,2001(24):3995-3997.
[3]	Alexander Brinkman;Dick Veldhuis;Dragana Mijatovic;Guus Rijnders;Dave H. A. Blank;Hans Hilgenkamp;Horst Rogalla .Superconducting quantum interference device based on MgB_(2) nanobridges[J].Applied physics letters,2001(15):2420-2422.
[4]	Ke Chen;Y. Cui;Qi Li;X. X. Xi .Study of Planar MgB{sub}2/TiB{sub}2/MgB{sub}2 Josephson Junctions Using the Proximity Effect SNS Model[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity: A Publication of the IEEE Superconductivity Committee,2007(2 Pt.1):955-958.

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