研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响.综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa.在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93％,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求.
参考文献
| [1] | Hariskos D;Spiering S;Powalla M .Buffer layers in Cu(In,Ga)Se-2 solar cells and modules[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2005(0):99-109. |
| [2] | 孙成伟,刘志文,秦福文,张庆瑜,刘琨,吴世法.生长温度对磁控溅射ZnO薄膜的结晶特性和光学性能的影响[J].物理学报,2006(03):1390-1397. |
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