用射频溅射法在Si基片和石英基片上分别制备了490nm厚的ZnS薄膜,并在不同温度下进行退火处理.微结构分析表明:退火后的ZnS薄膜均呈多晶状态,晶体结构为立方闪锌矿结构的β-ZnS;随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸逐渐增大,由20℃的10.91nm增大到500℃的15.59nm,晶格常数在不同退火温度下均比标准值0.5414nm稍小.应力分析表明:退火后的ZnS薄膜应力减小,400℃时分布较均匀,平均应力为1.481×108Pa,应力差为1.939×108Pa.且400℃前为张应力,400℃以后转变为压应力.光学分析表明,随着退火温度的升高,ZnS薄膜的透过率增强,吸光度减弱.
参考文献
| [1] | 吕反修;高旭辉;郭会斌 等.[J].人工晶体学报,2004,12(04):65-68. |
| [2] | Chu T L;Shirley S Chu .[J].Solid-State Electronics,1995,38(02):533-549. |
| [3] | Kashani H .[J].Thin Solid Films,1996,288(1-2):50-56. |
| [4] | 范雄.金属X射线学[M].北京:机械工业出版社,1996 |
| [5] | 北京光电子技术研究所 .BGS6341型电子薄膜应力分布测试仪技术总结报告[R].北京,2000. |
| [6] | 刘云峰.ZnS薄膜的结构研究[J].真空,1996(02):32. |
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