晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响

材料导报, 2010, 24(22): 65-67.

晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响

祝铭 ^1, , 李玉科 ^2, , 郑嘹赢 ^3, , 程丽红 ^4, , 李国荣 ^5,

1.上海电气输配电集团,上海200042

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

基金项目: 国家自然科学基金(50577065;10876041) 上海市重大项目(07Ⅺ-023)

关键词： ZnO压敏 , 晶界 , 电性能

Influence of Sintering Conditions on the Microstructure and Electrical Properties in ZnO Varistor

研究了传统烧结与热压烧结对ZnO压敏陶瓷显微结构和电性能的影响.采用扫描电镜观察(SEM)、电流-电压测试(I-V)、电容-偏压测试(C-V)以及阻抗谱等分析方法或测试手段研究了陶瓷的显微结构、电性能.结果表明,热压烧结增大了ZnO压敏陶瓷的烧结密度,提高了电性能.晶界特性参数测试结果表明,热压烧结还可以增强晶界特性.

参考文献

[1]	王振林;李盛涛.氧化锌压敏陶瓷制造及应用[M].北京:科学出版社,2009
[2]	Carlson G W;Gupta T K .Improved varistor nonlinearity via donor impurity doping[J].Journal of Applied Physics,1982,53(08):5746.
[3]	Gupta K T .Application of zinc oxide varistors[J].Journal of Materials Science,1990,73(07):1817.
[4]	Hayashi M;Haba M;Hirano S et al.Degradation mechanism of zinc oxide varistors under dc bias[J].Journal of Applied Physiology,1982,53(08):5754.
[5]	Eda K .Destruction mechanism of ZnO varistors due to high currents[J].Journal of Applied Physics,1984,56(10):2948.
[6]	翟维琴,姚政,金继华,祝铭,郑嘹赢.提高ZnO变阻器电性能的研究[J].功能材料,2006(11):1758-1761,1764.
[7]	李盛涛;刘辅宜 .烧结过程对氧化锌压敏陶瓷晶核形成和生长过程的影响[J].无机材料学报,1996,14(06):921.
[8]	陈志清;谢恒坤.氧化锌压敏瓷及其在电力系统中的应用[M].北京:水利电力出版社,1992
[9]	曾树荣.半导体器件物理基础[M].北京:北京大学出版社,2002
[10]	Mukae K;Tsuda K;Nagasawa I .Capacitance-vs-voltage characteristics of ZnO varistors[J].Journal of Applied Physics,1979,50(06):4475.
[11]	R. WASER;R. HAGENBECK .GRAIN BOUNDARIES IN DIELECTRIC AND MIXED- CONDUCTING CERAMICS[J].Acta materialia,2000(4):797-825.
[12]	Fan Jiwei;Robert F .The roles played by Ag and Al dopants in controlling the electrical properties of ZnO varistors[J].Journal of Applied Physics,1995,77(09):4795.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响

Influence of Sintering Conditions on the Microstructure and Electrical Properties in ZnO Varistor

参考文献