在半导体制造工艺中,Al焊盘表面的氧化膜会阻碍金丝键合.针对某公司新半导体工艺中出现键合失效问题的芯片,采用SEM,EDS和AES对切片前后的芯片进行了分析.结果发现,切片前后Al焊盘表面的元素成分基本一致,可以认为清洗工艺对金丝键合基本没有影响,它不是导致金丝键合失效的原因;通过AES对焊盘进行深度剖析,在深度接近Al焊盘高度的一半时,氧的含量仍然高达40%左右,如此高含量的氧已经足以将Al完全氧化,其所形成的氧化膜阻碍了金丝键合所必需的金属连接和扩散过程,从而导致键合质量差,甚至无法实现键合.
参考文献
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