Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究

功能材料, 2004, 35(z1): 468-470.

Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究

夏宗仁 ^1, , 徐朝鹏 ^2, , 郑威 ^3, , 徐玉恒 ^4,

1.CETC中电科技,德清华莹电子有限公司,浙江,德清,313216

2.哈尔滨工业大学,电子科学与技术系,黑龙江,哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学,应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学,应用化学系,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA30304) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G19990330)

关键词： Mg:Er:LN晶体 , 波导基片 , 光损伤

Study on photodamage resistance of Mg:Er:LiNbO3 waveguide substrate

以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.

参考文献

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