以SnCl4·5H2O,SbCl3为前驱体,采用So1-Gel法制备了不同Sb掺杂量的SnO2纳米粉末.对粉体的电阻率、粒度分布、比表面积进行了测量,并用X射线,扫描电镜对粉体进行了表征.结果发现,随着Sb掺杂量的提高,ATO复合纳米粉末的晶粒度减小,Sb掺杂对粉末电阻率的影响存在一拐点,Sb掺杂量较少时,粉体的电阻率随Sb含量的提高而降低,在5%~7%中有一个最小值,此后,随着Sb含量的提高,电阻率开始升高.通过对粉体粒度计算和比表面等径分析,ATO纳米粉末存在团聚现象,解决团聚问题是今后进一步研究的方向之一.
参考文献
[1] | Lin Yang-Jen;Wu Ching-Jiunn .[J].Surface and Coatings Technology,1996,88:239-247. |
[2] | 郭玉忠,王剑华,黄瑞安,王贵青.掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究[J].无机材料学报,2002(01):131-138. |
[3] | 郭玉忠,王剑华,黄瑞安,王贵青.掺杂SnO2透明导电薄膜电学及光学性能研究[J].无机材料学报,2002(01):131-138. |
[4] | 李青山,张金朝,宋鹂.三防纳米级ATO透明导电薄膜材料的研究和应用[J].材料导报,2002(02):34-36. |
[5] | 李青山,张金朝,宋鹂.三防纳米级ATO透明导电薄膜材料的研究和应用[J].材料导报,2002(02):34-36. |
[6] | 李青山,张金朝,宋鹂,张晓明,劳克勤.纳米级掺锑SnO2粉末的制备和表征[J].硅酸盐通报,2001(04):26-30. |
[7] | Li QingShan;Zhang JinChao;Song Li .[J].Ceramic Bulletin,2001,4:26-30. |
[8] | 薄占满 .[J].无机材料学报,1991,5(04):324-329. |
[9] | Van Bommel M J;Groen W A;Van Hal H A M et al.[J].Journal of Materials Science,1999,34:4803-4809. |
[10] | Shanth S I;Subramanian C;Ramasamy P .[J].Journal of Crytal Growth,1999,197:858-864. |
[11] | Kwang Ho Kim;Soo Won Lee .[J].Journal of the Ceramic Society,1994,77(04):915-921. |
[12] | Terrier C.;Roger JA.;Chatelon JP. .ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SB-SNO2 THIN FILMS OBTAINED BY THE SOL-GEL METHOD[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(1/2):95-100. |
[13] | 李树棠.晶体X射线衍射学基础[M].北京:冶金工业出版社,1999 |
[14] | 潘庆谊;董晓雯;张剑平 等.[J].无机材料学报,1997,12(04):494-498. |
[15] | 黄培云.粉末冶金原理[M].北京:冶金工业出版社,1981 |
[16] | 王剑华;郭玉忠 .[J].昆明理工大学学报(理工版),1997,22(01):71-77. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%