AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长

功能材料, 2004, 35(z1): 1126-1127.

AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长

王磊 ^1, , 冷杉 ^2, , 王波 ^3, , 黄安平 ^4, , 李小换 ^5, , 朱满康 ^6, , 严辉 ^7,

1.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

2.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

3.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

4.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

5.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

6.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

7.北京工业大学,材料学院薄膜材料与技术研究室,北京,100022

基金项目: 国家自然科学基金(10104004) 北京市教委科技发展计划项目

关键词： ZnO薄膜 , 磁控溅射 , 择优取向

Oriented ZnO thin films prepared on AlN/Si substrates

当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.

参考文献

[1]	莫以豪;李标荣;周国良.半导体陶瓷及其敏感元件[M].上海:上海科学出版社,1983:274.
[2]	黄继颇;王连卫;林成鲁 .性能优异的多功能宽禁带半导体AlN薄膜[J].功能材料,1999,30(02):141.
[3]	Wang B;Zhao Y N;He Z .[J].Vacuum,1997,48:427.
[4]	Wang B;Wang M;Wang R Z et al.[J].Materials Letters,2003,53:367.

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Oriented ZnO thin films prepared on AlN/Si substrates

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