纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究

材料导报, 2005, 19(z2): 43-52.

1.太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024

2.太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024

3.太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024

4.太原理工大学材料科学与工程学院,太原,030024

5.太原科技大学材料科学与工程学院,太原,030024

基金项目: 国家校青年基金(2004002)

Study on Properties and Fabrication of Nanometer ZnO Varistor

研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件,得出其最佳烧结温度为1200℃,与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比,纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀.

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