氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

功能材料, 2004, 35(5): 662-664.

氢等离子体加热法晶化a-Si:H薄膜

陈城钊 ^1, , 林璇英 ^2, , 林揆训 ^3, , 余云鹏 ^4, , 余楚迎 ^5,

1.浙江大学,理学院物理系,浙江,杭州,310027;汕头大学,物理系,广东,汕头,515063;广东潮州韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041

2.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

3.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

4.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

5.汕头大学,物理系,广东,汕头,515063

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028208)

关键词：多晶硅薄膜 , 氢等离子体加热 , 退火工艺 , 晶化度

A study of poly-silicon fims prepared by hydrogen plasma heating

利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.

参考文献

[1]	Kim H Y;Park C D;Kang Y S et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1995,A18(05):2085-2089.
[2]	Matsuyama T;Tmanaka M;Tsuda S et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1993,32:3720-3728.
[3]	Lin Xuanying;Lin Kuixun;Yu Yunpeng.[A].,1994:638-641.
[4]	Cheng G X;Xia H;Chen K J et al.[J].Physica Status Solidi A,1990,118:K51-K54.
[5]	Perez A;Cornet A;Morante J R .[J].Microelectronic Engineering,1998,40(3-4):223-237.

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A study of poly-silicon fims prepared by hydrogen plasma heating

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