沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响

功能材料, 2011, 42(8): 1489-1491.

沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响

郝会颖 ^1, , 李伟民 ^2, , 曾湘波 ^3, , 孔光临 ^4, , 廖显伯 ^5,

1.中国地质大学材料科学与工程学院,北京100083

2.中国地质大学材料科学与工程学院,北京100083

3.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

4.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

5.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京100083

基金项目: 中国科学院半导体材料科学重点实验室开放基金资助项目(KLSMS-0907) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2011YYL006) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB202604)

关键词：相变域硅薄膜 , 微结构 , 光电特性 , 输运特性

Effect of gas pressure on the properties of silicon thin film

Keywords： phase transition silicon films , microstructure , photoelectric properties , transport properties

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。

A series of transition films from amorphous to microcrystalline silicon was successfully prepared by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition（VHF-PECVD）.Effects of gas pressure on the microstructure,photoelectric and transport properties of the films were investigated.The results indicate that increase of gas pressure improve the photosensitivity and deposition rate,while the order degree of the microstructure and transport properties get worse.

参考文献

[1]	Guha S.;Yang J.;Banerjee A.;Yan BJ.;Lord K. .High quality amorphous silicon materials and cells grown with hydrogen dilution[J].Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion,2003(1/4):329-347.
[2]	Vavrunkova, V;Mullerova, J;Srnanek, R;Sutta, P .Structural changes studies of a-Si:H films deposited by PECVD under different hydrogen dilutions using various experimental techniques[J].Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology,2009(1):123-125.

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