磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究

功能材料, 2009, 40(2): 222-225.

磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究

胡敏 ^1, , 刘莹 ^2, , 赖珍荃 ^3, , 刘倩 ^4, , 朱秀榕 ^5,

1.南昌大学,机电工程学院,江西,南昌,330031

2.南昌大学,机电工程学院,江西,南昌,330031

3.南昌大学,物理系,江西,南昌,330031

4.南昌大学,机电工程学院,江西,南昌,330031

5.南昌大学,物理系,江西,南昌,330031

基金项目: 国家自然科学基金重点项目(50730007)

关键词： TiN薄膜 , 磁控溅射 , 氩气/氮气流量比 , 溅射气压 , 电学性能

Technological parameters and electrical property of TiN thin films grown processing by magnetron sputtering

采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3～0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.

参考文献

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