Mg2+在金属-电介质复合材料中的掺杂研究

稀有金属材料与工程, 2007, 36(6): 1051-1054.

Mg2+在金属-电介质复合材料中的掺杂研究

李玲霞 ^1, , 王大鹏 ^2, , 郭锐 ^3, , 王洪儒 ^4, , 孟旭东 ^5, , 李慧灵 ^6,

1.天津大学,天津,300072

2.天津大学,天津,300072

3.天津大学,天津,300072

4.天津大学,天津,300072

5.河北北方学院,河北,张家口,076500

6.河北北方学院,河北,张家口,076500

基金项目: 国家自然科学基金(50472064) 天津市资助项目(05YFJMJC09300)

关键词：金属-电介质 , 掺杂 , 晶格常数 , B位取代

Doping of Mg in Metal Dielectric Composites of BaTiO3

研究了镁离子在金属.电介质复合材料中的改性作用.通过SEM、EDS、XRD等分析手段综合得出Mg2+取代了BaTiO3晶格中B位的Ti4+,并使置换出来的Ti4+在样品表面形成富集.介电性能分析证明Mg2+可以明显降低系统介电损耗,展宽并压低居里峰.当Mg2+添加量为0.9%(摩尔分数),系统介电常数高达11395,介电损耗为0.006,并在-55～150 ℃范围内容量变化率＜士10%.

参考文献

[1]	Hwang H J;Watari K;Sando M et al.[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80(03):791.
[2]	Chen C Y;Tuan W H .[J].Journal of Materials Science Letters,1999,18(05):353.
[3]	Pecharroman C.;Moya JS. .Experimental evidence of a giant capacitance in insulator-conductor composites at the percolation threshold[J].Advanced Materials,2000(4):294-297.
[4]	Kishi H;Okino Y;Iguchi Y .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:5954.
[5]	张有刚;张水祥;许恒先.电子材料现代分析概论[M].北京:国防工业出版社,1993:225.

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