B位替代对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷介电性能的影响

机械工程材料, 2009, 33(4): 82-84.

B位替代对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷介电性能的影响

张红霞 ^1, , 丁士华 ^2, , 陈涛 ^3, , 宋天秀 ^4, , 张东 ^5, , 杨秀玲 ^6,

1.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

2.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

3.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

4.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

5.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

6.西华大学材料科学与工程学院,四川成都,610039

基金项目: 四川省教育厅科技基金(2006C025)

关键词： Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能

Effect of B Site Substitution on Dielectric Properties of Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7 Based Ceramics

采用传统的二次球磨固相反应法制备了Bi2(Zn1/3 Nb2/3-x)O7(M为Sn,Zr,Ti)陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电镜、介电性能测试仪等研究了Sn4+,Zr4+,Ti4+的B位替代对陶瓷烧结温度、物相、显微形貌以及介电性能的影响.结果表明:当替代量x≤0.25时,所得陶瓷均保持单一的单斜焦绿石相结构;Zr4+,Ti4+什替代的陶瓷达到最致密的烧结温度与未经替代的一致,而Sn4+替代的陶瓷在1 020℃烧结才可以达到最致密;用Ti4+,Zr4+替代的陶瓷晶粒尺寸与基体的相当,而Sn4+替代的陶瓷晶粒尺寸大小不一;Sn4+,Zr4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加逐渐减小,Sn4+替代的陶瓷在x=0.25时为负值,Ti4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加先增大后减小,但始终为正值.

参考文献

[1]	Cann DP.;Shrout TR.;Randall CA. .INVESTIGATION OF THE DIELECTRIC PROPERTIES OF BISMUTH PYROCHLORES[J].Solid State Communications,1996(7):529-534.
[2]	JEONG SEOG KIM;CHAE-IL CHEON;SAHN NAHM .PHASE RELATION AND DIELECTRIC PROPERTIES OF Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5-BASED CERAMICS[J].Ferroelectrics: Letters Section,2002(1):273-278.

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