用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性.X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强.还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料.
参考文献
| [1] | 杨宇,卢学坤,黄大鸣,蒋最敏,杨敏,章怡,龚大卫,陈祥君,胡际璜,张翔九,赵国庆.Si1-xGex/Si量子阱发光材料制备及特性研究[J].物理学报,1995(06):995-1002. |
| [2] | Li Hongjian;Peng Jingc .[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21:104-108. |
| [3] | Pavesi L et al.[J].Nature,2000,408:440. |
| [4] | Jerominek H et al.[J].SPIE,1996,2746:60-71. |
| [5] | Lee S W et al.[J].Applied Physics Letters,1995,66:671-673. |
| [6] | Khahifirooz A .[J].Thin Solid Films,2001,383:241-243. |
| [7] | Mengucci P;Barucca G .[J].Applied Surface Science,1999,138:145-149. |
| [8] | Yokota T.;Morinaga Y.;Ito T.;Fujimura N. .Detailed structural analysis of Ce doped Si thin films[J].Physica, E. Low-dimensional systems & nanostructures,2001(1/3):237-241. |
| [9] | 陈光华.掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J].电子学报,1991(05):111. |
| [10] | 甘润今;张仿清 .[J].中国稀土学报,1992,10(01):27-30. |
| [11] | 甘润今;陈光华 .[J].兰州大学学报(自然科学版),1994,30:39-43. |
| [12] | Dvurechenskii A V .[J].Physica Status Solidi A,1982,71:K133. |
| [13] | Lu N C C et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1981,ED-28:818. |
| [14] | Unewisse M H;Craig B I .[J].Proceedings of SPIE,1995,2554:43-54. |
| [15] | Unewisse M H;Passmore S J .[J].Proceedings of SPIE,1994,2269:43-52. |
| [16] | 从秋滋.多晶二维X射线衍射[M].北京:科学出版社,1985 |
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