Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响

材料导报, 2007, 21(z2): 450-452.

Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响

王勇 ^1, , 高家诚 ^2, , 李伟勤 ^3, , 周永贵 ^4, , 陈功明 ^5,

1.重庆大学科学与工程学院,重庆,400045

2.重庆大学科学与工程学院,重庆,400045

3.自贡硬质合金有限责任公司技术中心,自贡,643011

4.自贡硬质合金有限责任公司技术中心,自贡,643011

5.重庆大学科学与工程学院,重庆,400045

关键词：掺杂钼 , 掺杂量 , 残留量 , 再结晶温度 , 二次再结晶

Remaining Amount of AKS Dopant and Its Effect on the Recrystallization Temperature

测试分析了不同掺杂量的材料经过还原和烧结后获得的Si、Al、K残留量,并对不同Si、Al、K掺杂量的钼丝的再结晶行为进行了研究.结果证明元素残留量随掺杂量的增加而增加,通过拟合得到了二者之间的数学关系.通过热分析发现,掺杂钼丝的再结晶温度比纯钼丝提高了550～600 ℃,而且再结晶温度随Si、Al、K掺杂含量的增加而升高.

参考文献

[1]	孙洋.添加稀土的钼丝[J].稀有金属与硬质合金,1991(04):60.
[2]	莫尔古诺娃 H H.钼合金[M].北京:冶金工业出版社,1984:951.
[3]	马图哈 K H.非铁合金的结构与性能[M].北京:科学出版社,1999:528.
[4]	Ju Choi et al.The process of the bubble formation in the hot isostatic pressing treated,doped molybdenum wire[J].Metallurgical Transactions,1990,21A:919.
[5]	Bewlay B P et al.Observations on the evolution of potassium bubble in tungsten ingots during sintering[J].METALLURGICAL TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE,1992,23(01):121.
[6]	Iorio L E et al.Dopant particle characterization and bubble evolution in aluminium-potassium-silicon-doped molybdenum wire[J].Metallurgical and Materials Transactions,2002,33:3349.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Al-K-Si掺杂残留量及其对钼丝再结晶温度的影响

Remaining Amount of AKS Dopant and Its Effect on the Recrystallization Temperature

参考文献