低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

稀有金属材料与工程, 2005, 34(2): 306-308.

低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究

周育先 ^1, , 方珍意 ^2, , 潘伟 ^3, , 杨曜源 ^4, , 张力强 ^5, , 王向阳 ^6, , 肖红涛 ^7,

1.中非人工晶体研究院,北京,100018

2.清华大学,北京,100084

3.清华大学,北京,100084

4.中非人工晶体研究院,北京,100018

5.中非人工晶体研究院,北京,100018

6.中非人工晶体研究院,北京,100018

7.中非人工晶体研究院,北京,100018

关键词： ZnSe , 红外 , 化学气相沉积 , CVD , 透过

Fabrication of Polycrystalline ZnSe by Chemical Vapor Deposition and Its Properties

以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃～750℃,压力为300Pa～1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm～22 μm,及8μm～14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.

参考文献

[1]	Daniel C Harris .Durable 3 μm～5 μm Transmitting Infrared Window Materials[J].Infrared Physics & Technology,1998,39:185.
[2]	Savage J A .New Far Infrared Window Materials-from Zinc Sulphide through Calcium Lanthanum Sulphide to Diamond[J].Glass Technology,1991,32(02):35.
[3]	Claude A Klein et al.ZnS,ZnSe and ZnS/ZnSe Windows:Their Impact on FLIR System Performance[J].Optical Engineering,1986,25(04):519-521.
[4]	Jitendra S Goela;Raymond L Taylor .Monolithic Material Fabrication by Chemical Vapour Deposition[J].Journal of Materials Science,1988,23:4331.
[5]	Daniel C Harris.Materials for Infrared Windows and Domes:Properties and Performance[M].SPIE Optical Engineering Press,1999:31.

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