通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
参考文献
| [1] | 朱世富,赵北君,王瑞林,高德友,韦永林.室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究[J].人工晶体学报,2004(01):6-12. |
| [2] | Chen H;Hayes M;Ma X et al.[J].Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering,1998,3446:17-28. |
| [3] | Burger A;Shilo I;Schieber M .[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,1983,30(01):368-370. |
| [4] | Khosla R P;Fischer J R;Burkey B C .[J].Physica Status Solidi B,1973,7(06):2551-2564. |
| [5] | Zhu Shifu;Zhao Beijun;Jin Yingrong et al.[J].Journal of Crystal Growth,2002,240(3-4):454-458. |
| [6] | 庄铭耀 .高温霍尔测量和应用[D].福州大学,2001. |
| [7] | 刘恩科;朱秉升;罗晋生.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1994:96. |
| [8] | 金应荣,朱世富,赵北君,邵双运,李奇峰,王雪敏,于丰亮,宋芳.富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性[J].半导体学报,2001(09):1139-1142. |
| [9] | Rosen D L;Li Q X;Alfano R R .[J].Physical Review B,1985,31(04):2396-2403. |
| [10] | Desnica U V .[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,1998,36(04):299-319. |
| [11] | 薩支唐;阮刚.固态电子学基础[M].上海:复旦大学出版社,2003:110-112. |
| [12] | Utsch B;Hausmann A .[J].Zeitschrift fur Physik B:Condensed Matter,1975,21(01):27-31. |
| [13] | 韦丹.固体物理[M].北京:清华大学出版社,2003:150-152. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%