MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究

功能材料, 2006, 37(11): 1719-1722.

MEMS微器件用CoNiMnP永磁体薄膜的工艺制备和性能研究

汪红 ^1, , 丁桂甫 ^2, , 戴旭涵 ^3, , 苏宇锋 ^4, , 张永华 ^5, , 王志民 ^6,

1.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

2.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

3.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

4.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

5.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

6.上海交通大学,微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030

基金项目: 国家自然科学基金(50405013;10377009) 上海市科委重点实验室基金(05DZ22309)

关键词： MEMS器件 , CoNiMnP永磁体薄膜 , 磁性能 , 掩膜电沉积

Fabrication and properties of the CoNiMnP permanent magnet arrays for MEMS devices

研究了采用多种氯化物体系电沉积制备CoNiMnP永磁体薄膜及在微继电器、电磁驱动器永磁体阵列器件方面的应用.对薄膜组成、磁性能的对比研究表明:从稀氯化物体系(200mT)中获得的Co82.4Ni11.9Mn0.4P5.3永磁体薄膜具有最好的磁性能:Hc=208790A/m,Br=0.2T,(BH)max=10.15kJ/m3,且脆性小、内应力较低.进一步解析发现这可能是因为与易磁化轴相平行的Co(110)面上存在织构所致.在此基础上采用掩膜电沉积技术成功地制备出微继电器原位制造和电磁驱动器永磁体薄膜阵列.

参考文献

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