Ku波段低温低噪声放大器设计

低温物理学报 , 2012, 34(3): 218-221.

Ku波段低温低噪声放大器设计

汪径尘 ^1, , 陈毅东 ^2, , 郭旭波 ^3, , 张晓平 ^4, , 魏斌 ^5, , 曹必松 ^6,

1.清华大学物理系,北京100084

2.清华大学物理系,北京100084

3.清华大学物理系,北京100084

4.清华大学物理系,北京100084

5.清华大学物理系,北京100084

6.清华大学物理系,北京100084

关键词：低温低噪声放大器(LNA) , Ku波段 , 隔离器 , 噪声系数

A DESIGN OF Ku-BAND CRYOGENIC LOW-NOISE AMPLIFIER

Keywords： Cryogenic Low-noise Amplifier(LNA) , Ku-band , Isolator , Noise Factor

本文采用插指电容新结构设计了一个Ku波段低温低噪声放大器（LNA）,并通过优化的封装工艺制备了放大器样品,分析了隔离器对LNA性能的影响.在77K温度下测试结果表明,放大器增益约10dB,噪声系数小于2.0dB,反射系数小于-17dB.

In this paper we present a new design of Ku-band cryogenic low-noise amplifier（LNA） using interdigital capacitance microstrip structure and improved encapsulation technology.The influence of isolators to LNA is analysed.At ambient temperature about 77K,LNA achieves performance that noise factor is less than 2.0dB,reflection coefficient is less than-17dB and gain is about 10dB.

参考文献

[1]	陈毅东,张晓平,李明杰,郭旭波,魏斌,曹必松.具有陷波电路结构的P波段低温低噪声放大器[J].低温与超导,2010(04):1-4.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网