SiC/Si上六方YMnO3薄膜的制备和铁电性能

硅酸盐通报 , 2010, 29(4): 967-971.

SiC/Si上六方YMnO3薄膜的制备和铁电性能

刘越峰 ^1, , 郑海务 ^2, , 张华荣 ^3, , 王超 ^4, , 马兴平 ^5, , 顾玉宗 ^6,

1.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004;河南大学基础实验教学中心,开封,475004

2.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004

3.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004

4.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004

5.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004

6.河南大学物理系微系统物理研究所,河南省光伏材料重点实验室,开封,475004

基金项目: 河南省科技攻关重点项目(082102270039;102102210115) 河南省高等学校青年骨干教师资助计划(2009GGJS-026) 国家自然科学基金(50802023) 河南省教育厅自然科学研究计划(2008B140003;2009A430002)

关键词：六方YMnO3 , 薄膜 , SiC/Si , 电滞回线

Preparation and Ferroelectric Property of YMnO3 Thin Film on SiC/Si

采用化学溶液法在 SiC/Si 上制备了YMnO3 薄膜.XRD 结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长.拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3.以 Pt 为顶电极,测试了 YMnO3 薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3 薄膜具有良好的铁电性质.

参考文献

[1]	李凌,王芳,王传彬,沈强,张联盟.无铅铁电材料-BaTi2O5的研究进展[J].硅酸盐通报,2009(04):751-755.
[2]	辛立强,付兴华,陶文宏.BaxSr1-xTiO3铁电薄膜电极材料的研究进展[J].硅酸盐通报,2008(03):542-545.
[3]	Chye Y;Liu T;Li D et al.Molecular beam epitaxy of YMnO3 on c-plane GaN[J].Applied Physics Letters,2006,88:132903.
[4]	陈治明;王建农.半导体器件的材料物理学基础[M].北京:科学出版社,1999
[5]	郝跃;彭军;杨银堂.碳化硅宽禁带半导体技术[M].北京:科学出版社,2000
[6]	郑海务,ZHANG Da-wei,王渊旭,LIU Yue-feng,李天峰,GU Yu-zong,张伟风.六方YMnO3多铁性薄膜的制备与性质研究进展[J].人工晶体学报,2008(04):955-961.
[7]	刘越峰;郑海务;张伟风等.化学溶液法制备YMnO3薄膜[J].压电与声光,2008,30:163-165.
[8]	Iliev MN.;Popov VN.;Abrashev MV.;Hamed A.;Meng RL.;Chu CW.;Lee HG. .RAMAN- AND INFRARED-ACTIVE PHONONS IN HEXAGONAL YMNO3 - EXPERIMENT AND LATTICE-DYNAMICAL CALCULATIONS[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1997(5):2488-2494.
[9]	Fujimura N;Ishida T;Yoshimura T et al.Epitaxially grown YMnO3 film:New candidate for nonvolatile memory devices[J].Applied Physics Letters,1996,69(07):1011-1013.
[10]	郑海务 .SiC薄膜的低压化学气相外延生长及其微结构特性研究[D].中国科学技术大学,2006.
[11]	Dong-Pyo Kim;Chang-Il Kim .The etching characteristics of YMnO_3 thin films in high density Ar/CF_4 plasma[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2003(1/2):130-135.
[12]	E. Rokuta;Y. Hotta;H. Tabata .Low leakage current characteristics of YMnO_(3) on Si(111) using an ultrathin buffer layer of silicon oxynitride[J].Journal of Applied Physics,2000(11):6598-6604.
[13]	Posadas A;Yau JB;Ahn CH;Han J;Gariglio S;Johnston K;Rabe KM;Neaton JB .Epitaxial growth of multiferroic YMnO3 on GaN[J].Applied physics letters,2005(17):1915-1-1915-3-0.
[14]	Zhou L.;Wang YP.;Liu ZG.;Zou WQ.;Du YW. .Structure and ferroelectric properties of ferroelectromagnetic YMnO3 thin films prepared by pulsed laser depositon[J].Physica Status Solidi, A. Applied Research,2004(3):497-501.
[15]	Kim SH.;Kim TH.;Zyung T.;Jeong TH.;Jang MS.;Lee SH. .Growth, ferroelectric properties, and phonon modes of YMnO3 single crystal[J].Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography,2000(1):19-27.
[16]	Guo H Y .铁电 YMnO3 和 (Pb0.76Ca0.24)TiO3 薄膜的制备与表征[D].香港:香港中文大学,2002.
[17]	Takeshi Yoshimura;Norifumi Fujimura;Taichiro Ito .Ferroelectric properties of c-oriented YMnO↓(3)films deposited on Si substrates[J].Applied physics letters,1998(1/6):414-416.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网