MLS结构的电容-电压特性

材料研究学报, 1992, 6(1): 64-67.

MLS结构的电容-电压特性

张佐兰 , 郑茳 , 黄勤 , 陆祖宏 , 魏同立

东南大学微电子学中心

副教授

南京市210018

东南大学

关键词： LB膜 , C-V characteristics , insulator films

C-V CHARACTERISTICS STUDIES ON MLS STRUCTURE

ZHANG Zuolan , ZHENG Jiang , HUANG Qin , LU Zuhong , WEI Tongli(Southeast University)

Keywords： Langmuir-Blodgett(LB)films , C-V特性 , 绝缘膜

本文报导在Si 衬底上拉制聚酰胺LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。

C-V characteristics of polyimide Langmuir-Blodegett films is described in thispaper.The obtained results are similar to other insulator films.This is basic of polyimide LBfilms application in field effect transistor(MLSFET).

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