光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究

人工晶体学报, 2013, 42(4): 607-610.

光学浮区法生长Si∶β-Ga2O3单晶及其光谱研究

王璐璐 ^1, , 夏长泰 ^2, , 赛青林 ^3, , 狄聚青 ^4, , 牟菲 ^5,

1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049

2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800

3.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049

4.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049

5.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049

基金项目: 南京航空航天大学研究生创新基金(kfjj20110226) 教育部博士点基金(20113218110018) 江苏省高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金(51075211,51275230)

关键词： Si∶β-Ga2O3 , 浮区法 , 光谱

Growth and Optical Properties of Si∶β-Ga2O3 Single Crystal by Floating Zone Method

采用浮区法生长了质量较好的Si∶β-Ga2O3单晶,直径约为8mm,长度约为2 cm.进行了X射线粉末衍射和X射线荧光分析,结果表明所得Si∶β-Ga2O3单晶属于单斜晶系,而且Si确实进入了β-Ga2O3格位中；在室温下测试了Si∶β-Ga2O3吸收光谱,吸收截止边约为255 nm,并分析了退火对吸收截止边的影响；测试了荧光发射谱,研究了不同激发波长对其紫外及紫色波段发光的影响.

参考文献

[1]	Laurent Binet;Didier Gourier .Optical evidence of intrinsic quantum wells in the transparent conducting oxide β-Ga_(2)O_(3)[J].Applied physics letters,2000(8):1138-1140.

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