ZnGeP2单晶生长温场研究

人工晶体学报, 2009, 38(3): 552-555.

ZnGeP2单晶生长温场研究

孙永强 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 赵欣 ^4, , 杨慧光 ^5, , 程江 ^6, , 张羽 ^7, , 陈宝军 ^8, , 何知宇 ^9,

1.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

2.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

3.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

4.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

5.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

6.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

7.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

8.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

9.四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(50672061;50732005) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z443)

关键词：磷锗锌 , 晶体生长 , 温场分布 , 红外透过率 , X射线衍射

Study on Temperature Field for ZnGeP2 Single Crystal Growth

根据ZnGeP2(ZGP)晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布.采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达15 mm×35 mm.对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿(101)面解理,其回摆峰尖锐无劈裂.对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2～12 μm波段内红外透过率达45%以上.研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高.

参考文献

[1]	卓洪升,顾庆天,房昌水.红外非线性材料ZnGeP2的研究（Ⅰ）--多晶料的合成[J].人工晶体学报,1999(01):88-90.
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[3]	Verozubova G A;Gribenyukov A I;Korotkova V V et al.ZnGeP2 Synthesis and Growth from Melt[J].Materials Science and Engineering B:Solid State Materials for Advanced Technology,1997,48:191-197.
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[5]	Ray B;Payne A J;Burrell G J .Preparation and Some Physical Properties of ZnGeP2[J].Physical Status Solidi,1969,35(197):197-204.
[6]	Shimony Y.;Raz O.;Dariel MP.;Kimmel G. .X-ray diffraction analysis of melt-grown ZnGeP2 (ZGP)[J].Journal of Crystal Growth,1999(Pt.1):583-587.
[7]	Vodopyanov K L;Ganikhanov F;Maffetone J P et al.ZnGeP2 Optical Parametric Oscillator with 3.8-12.4 μm Tenability[J].Optics Letters,2000,11(25):841-843.

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