CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响

功能材料, 2013, 44(5): 744-747.

CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体高、低频功率对AZO薄膜绒面效果的影响

吴明智 ^1, , 金成刚 ^2, , 王飞 ^3, , 黄天源 ^4, , 吴雪梅 ^5, , 诸葛兰剑 ^6,

1.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006

2.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006

3.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006

4.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006

5.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006

6.苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006;苏州大学分析测试中心,江苏苏州215006

基金项目: 苏州市科技计划资助项目(SYJG0901) 国家自然科学基金资助项目(10575073) 苏州大学2010年国家级大学生创新性实验计划资助项目(5731500910)

关键词： AZO , CCP/ICP , 绒面结构 , 发射光谱

Effect of high-frequency and low-frequency power of CCP/ICP C4F8/Ar plasma on the textured structure of AZO films

室温下,采用射频磁控溅射方法在石英基片上制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜.利用CCP/ICP混合放电C4F8/Ar等离子体对制得的AZO薄膜进行绒面处理.利用原子力显微镜(AFM)对薄膜表面形貌进行表征,利用光纤光谱仪分析放电产生的碳氟基团含量的变化.实验结果发现低频功率的增大能够有效增加等离子体中F原子的含量,进而提高薄膜的刻蚀效果,获得较好的绒面结构；但是高频功率变化对薄膜刻蚀效果影响较小.

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