硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光

材料科学与工程学报, 2010, 28(4): 498-513.

硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光

张瑞捷 ^1, , 陈培良 ^2, , 马向阳 ^3, , 杨德仁 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027

基金项目: 浙江省自然科学基金资助项目(R4090055) 中国博士后科学基金资助项目(20080441223) 973资助项目(2007CB613403) 科技部国际合作资助项目(2008DFR50250)

关键词：电致发光 , 氧化锌 , 硅酸锌 , 硅

Electroluminescence from Silicon-based Zn2SiO4:ZnO Films

利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4:ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4:ZnO薄膜发光器件.实验表征了Zn2SiO4:ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性.研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光.通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释.

参考文献

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