AgGaS2晶体生长过程中的过冷度研究

功能材料, 2004, 35(z1): 3093-3095.

1.四川大学,材料科学系,四川,成都,610064

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Degree of supercooling studies of AgGaS2 single crystal growth

根据熔体生长系统中相变驱动力的基础理论,针对AgGaS2过冷度较大的特点,采用自发成核后升温熔料、下降安瓿后上提熔料以及加类籽晶等工艺研究了AgGaS2晶体生长过程中因过冷度大而难于生长较大尺寸单晶体的问题,生长出了外形完整、无裂纹的尺寸达φ15mm×20mm的较高质量AgGaS2单晶体.

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