弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

功能材料, 2001, 32(4): 362-364.

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

刘洪祥 ^1, , 魏合林 ^2, , 刘艳红 ^3, , 刘祖黎 ^4,

1.华中理工大学物理系,

2.华中理工大学物理系,

3.华中理工大学物理系,

4.华中理工大学物理系,

基金项目: 国家自然科学基金(19775016)

关键词： PECVD , SnO2 , 薄膜 , 磁镜场

Effect of the magnetic mirror field on the deposition of SnO2 thin film

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了SnO2薄膜.实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响.实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5.5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀.

参考文献

[1]	康昌鹤;唐省吾.气、湿敏感器件及其应用[M].北京:科学出版社,1988
[2]	何敬文.[J].传感器技术,1987(5-6):50.
[3]	郭耀华;张浩康.[J].传感器技术,1987(56):49.
[4]	朱大奇;刘祖黎.[J].仪表技术与传感器,1998(09):12.
[5]	陈俊芳;刘祖黎.[J].华中理工大学学报,1993(21):44.
[6]	魏合林;刘祖黎.[J].物理学报,1995(07):44.
[7]	Wei Helin;Liu Zuli;Liu Daming .[J].真空,1996,47:167.

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