C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析

功能材料, 2008, 39(1): 145-147.

C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析

张国恒 ^1, , 马书懿 ^2, , 陈彦 ^3, , 张汉谋 ^4, , 徐小丽 ^5, , 魏晋军 ^6, , 孙小菁 ^7,

1.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北民族大学,电气工程学院,甘肃,兰州,730030

2.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

3.西北民族大学,电气工程学院,甘肃,兰州,730030

4.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

5.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

6.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

7.西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070

基金项目: 教育部科学技术基金(204139) 国家自然科学基金(60276015) 甘肃省重点实验室基金(KF-05-03)

关键词：磁控溅射 , 纳米碳粒 , 电致发光 , 位形坐标

Numerical study of electroluminescence from C embedded SiO2 films

采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.

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