用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物(ITO)复合粉末.粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化.热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层.实验研究了热等静压工艺参数--保温温度、保压压力和保温时间对ITO陶瓷靶材致密化的影响.实验结果表明:靶材的相对密度在大约1000℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当延长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低.分析了ITO在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用.还分析了ITO复合粉末部分脱氧使ITO陶瓷半导化的机理.
参考文献
| [1] | De Waal H;Siomonis F .[J].Thin Solid Films,1981,77(03):253. |
| [2] | De Wit J H W.[J].Journal of Solid State Chemistry,1975:13,192-200. |
| [3] | Nicolas Nadaud;Monique Nanot;Philippe Boch .[J].Journal of the American Ceramic Society,1994,77(03):843-846. |
| [4] | 扈百直;张树高;付晓旭.[J].中南工业大学学报,1999(04) |
| [5] | 黄培云.粉末冶金原理[M].北京:冶金工业出版社,1982 |
| [6] | 张树高;黄伯云;方勋华 .[J].材料导报,1997,11(04):11. |
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