热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散

功能材料与器件学报 , 2014, 20(6): 205-208.

热处理中Si/SiGe/Si界面互扩散

文娇 ^1, , 刘畅 ^2, , 俞文杰 ^3, , 张波 ^4, , 薛忠营 ^5, , 狄增峰 ^6, , 闵嘉华 ^7,

1.上海大学材料科学与工程学院,上海200444;信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

2.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

3.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

4.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

5.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

6.信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

7.上海大学材料科学与工程学院,上海,200444

基金项目: 这项工作是由上海市自然科学基金(项目编号:12ZR1453000,12ZR1453100,12ZR1436300),国家自然科学基金(项目编号:61306126,61306127,61106015)资助.

关键词： Si/SiGe互扩散 , 热载荷 , 硼浓度梯度

Ge Inter-diffusion in Si/SiGe/Si Hetero-structure during Thermal Processing

Keywords： Si/SiGeInter-diffusion , Thermal Budgets , Gradient Boron

利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/SiGe/Si异质结中Si/SiGe异质界面互混的现象.结果表明:应变弛豫前Si/SiGe异质界面互混程度随热载荷的增加而增强;Si/SiGe异质界面的硼(B)浓度梯度抑制了界面互扩散.总之,Si/SiGe互扩散作用越强诱发Si/SiGe异质界面越粗糙,从而导致器件性能恶化.

参考文献

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