向红印
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高官明
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吴涛
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周少强
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万良标
贵金属
采用液相化学还原法,以一乙醇胺为分散剂和pH值调节剂,用对苯二酚直接还原硝酸银制备高性能球形银粉。研究了一乙醇胺添加量对银粉性能的影响,在一乙醇胺添加量为硝酸银质量的250%时,可以制得平均粒径D50为1.49μm,松装密度达到2.16 g/cm3的规则球形银粉。通过X射线衍射(XRD)和能谱仪(EDS)分析表明,银粉纯度高,杂质含量少。扫描电镜(SEM)表征发现,银粉结晶度高,呈规则的球形颗粒,团聚少,分散性能好。将所得银粉制备成太阳能电池电极银浆,通过丝网印刷在硅片上,测量其方阻为5.26 m?/□,满足制作太阳能电池电极银浆的电性能要求。
关键词:
金属材料
,
球形银粉
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太阳能银浆
,
高分散
,
化学还原法
物理测试
2012年10月16日,在众多客户的期待和瞩目中,历时两年研发,集合MTS最先进的测试软件和控制器技术的全新Exceed(启标)系列产品亮相北京,迈出了全球发布的第一步。
关键词:
MTS
,
新品发布会
,
测试系统
,
电子
,
中国
,
测试软件
,
控制器
,
客户
程军
,
杨学明
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杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
郭丽萍
,
陈莉
,
杜小弟
,
张安富
,
雷家珩
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00255
以二氧六环为良溶剂,石油醚为沉淀剂,通过等温沉淀分级,制得8种不同分子量的聚丙烯酸标样.采用渐近校正法测定了它们的峰值分子量和分子量分布,建立了GPC校正曲线,并将其用于聚丙烯酸试样的测定.结果表明,由渐进校正法测得的粘均分子量与粘度法测得的分子量之间的平均相对误差为7%,由渐进校正法测得的数均分子量与端基滴定法测得分子量之间的平均相对误差为9%.将上述标样用于实际聚丙烯酸试样的测定,测得试样的粘均分子量与粘度法测定结果之间平均相对误差小于10%,优于以聚乙二醇为标样测定的平均相对误差(30%左右).本标样可用于具有与聚丙烯酸相似结构的阴离子聚电解质分子量分布的测定.
关键词:
聚丙烯酸
,
分子量标样
,
凝胶渗透色谱
,
沉淀分级
,
渐进校正法
朱德举
,
欧云福
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20150520.002
为探究Kevlar 49单束的尺寸效应及应变率敏感性,首先,利用MTS万能试验机对不同标距(25、50、100、150、200和300 mm)的Kevlar 49单束进行了准静态(应变率为1/600 s-1)拉伸测试;然后,利用Instron落锤冲击系统对标距为25 mm的试样进行了动态(应变率为40~160 s-1)拉伸测试;最后,利用Weibull模型进行统计分析,量化了不同标距和应变率下Kevlar 49单束拉伸强度的随机变化程度.结果表明:Kevlar 49单束的拉伸力学性能与标距和应变率有相关性;拉伸强度随标距的增加而减小,但随应变率的增加而增大;峰值应变和韧性均随标距和应变率的增加而减小;提取的Weibull参数可用于数值模拟及工程应用.
关键词:
Kevlar 49
,
拉伸力学性能
,
标距
,
应变率
,
Weibull
李玉鹍
,
李武军
,
张代
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2009.03.010
国内质检机构主要采用X射线荧光光谱法测试贵金属首饰的贵金属质量分数,国际铂金协会上海代表处与全国首饰标准化技术委员会共同合作开发研制了铂钌合金标样,以适用于铂钌合金首饰的无损检测.主要介绍国家首饰质检中心研究组进行的铂钌合金标样均匀性、化学定值和无损测试等的实验,结论表明:① 随机抽取标样进行正正反、反反正无损测试,均匀性符合合格判定要求;② 采用ICP-OES光谱差减法测试标样中钌的质量分数,差减得到铂质量分数,确定了标样的化学值符合梯度要求;③ 使用标样在X荧光能谱仪上测试建立工作曲线,确定适当的测试参数.由此确定此套标样可以作为无损检测建立工作曲线的标准样品.
关键词:
分析化学
,
合金
,
标准样品
,
均匀性检验
,
化学定值
,
X射线无损检测
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率