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Ag掺杂ZnO纳米线酒敏性能的研究

利用浸渍法将ZnO纳米线浸渍于AgNO3溶液中制备了Ag 掺杂的ZnO纳米线.借助X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对纳米线的晶体结构和形貌进行了表征.结果表明纳米线既含面心立方结构的Ag又含有六方纤锌矿结构的Zn...

关键词: 掺杂 , ZnO纳米线 , 气敏传感器

ZnO纳米线气敏元件对单一气体浓度的判定研究

于灵敏 , 范新会 , 岳苗 , 祁立军 , 严文

功能材料

以不同金属掺杂的ZnO纳米线为气敏材料,在350℃下对不同浓度的H2气体进行了气敏性能测试.结果表明,掺杂Ag的ZnO纳米线在H2浓度为2.52×10(-3)时具有较高的气体灵敏度28.549.同时,利用Origin软件对测得的气敏性能曲...

关键词: ZnO纳米线 , 气体灵敏度 , 气体浓度 , 线性拟合

外加电场制备CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管

于灵敏 , 祁立军 , 范新会 , 严文 , 朱长纯

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2006.07.020

在外加电场的条件下利用物理热蒸发法成功制备出CdS纳米线阵列、纳米带和纳米管,纳米线阵列沿平行于电场方向生长.借助SEM、EDX和TEM以及XRD,研究了外加电场对CdS纳米线生长的影响.结果表明:外加电场大大促进了CdS纳米线定向排列生...

关键词: CdS纳米线 , 纳米带 , 纳米管 , 外加电场

硅微米晶须的定向排列生长

于灵敏 , 范新会 , 严文

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2004.03.014

利用物理热蒸发法在1 016～1 066℃的温度范围内成功制备出定向排列生长的硅微米晶须.借助扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)研究了硅微米晶须的形貌、化学成分及晶体结构,讨论了环境压力对硅微米晶须生长有序性的影响.研究结果表明,在环境压力为13.3kPa...

关键词: 硅微米晶须 , 定向排列 , 环境压力

外加电场条件下制备定向排列的硅纳米线

于灵敏 , 祁立军 , 范新会 , 刘建刚 , 严文

机械工程材料 doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008

在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米...

关键词: 硅纳米线 , 定向排列 , 外加电场

ZnO纳米线的制备及其光学性能

张克良 , 范新会 , 于灵敏 , 马雪红 , 严文

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.03.022

采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构.借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及荧光光谱仪研究了ZnO纳米线的表面形貌、内部结构及其光学性能.结果表明,所得到的ZnO纳米线是六方的单晶结构,而且具有较好的发光性能和良好的结晶性.纳米线长约2～5μm,直径...

关键词: 热蒸发法 , 氧化锌纳米线 , 光学性能

掺杂Nd对ZnO 电子结构和光学性质的影响

韦建松 , 于灵敏 , 范新会 , 罗贤

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).009

研究分析了 Nd 掺杂对 ZnO 体系的电子结构和光学性质的影响；根据密度泛函理论(DFT)，采用第一性原理平面波超软赝势方法，对 Nd 掺杂的 ZnO晶体结构进行几何优化，并计算体系的能带结构、总态密度、分波态密度、光学性质；结果表明，掺杂后体系晶格常数增大，带隙变宽，费米能级进入导带，介电常数、...

关键词: 密度泛函 , ZnO , 电子结构 , 光学性质 , Nd 掺杂

提高丝网印刷ZnO纳米针场发射均匀性稳定性

于灵敏 , 朱长纯

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.008

针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题,本文提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性.场发射特性测试表明,ZnO纳米针经过滤后可以提高场发射均匀性,CNTs的掺杂提高了印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度和稳定性,印刷CNTs掺杂的ZnO纳米针...

关键词: ZnO纳米针 , 场发射 , 均匀性 , 稳定性

热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

刘建刚 , 范新会 , 陈建 , 于灵敏 , 严文

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030

研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机...

关键词: 热蒸发 , 硅纳米线 , 气-液-固机制 , 氧化辅助生长机制