王秀民
,
杜建平
,
仲为为
,
王培
,
胡松青
腐蚀与防护
采用高温高压釜模拟热力采油的蒸汽环境,现场取材对N80和P110两种材质进行了腐蚀试验.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等方法研究了腐蚀产物膜的形貌和化学成分,并研究了高温高压混和蒸汽下的腐蚀机理.结果表明,高温高压混合蒸汽对注汽管柱的腐蚀非常严重,O2、CO2均是重要的腐蚀因素;O2腐蚀产物晶粒细小,CO2腐蚀产物晶粒粗大;150～250℃时,随温度升高O2腐蚀速率呈下降趋势,而CO2腐蚀速率变化不大;250～300℃时,随温度升高O2、CO2腐蚀速率均急剧增大.
关键词:
注汽管柱
,
O2腐蚀
,
CO2腐蚀
姜云涛
,
马一太
,
杨昭
,
李敏霞
工程热物理学报
提出以污水、污泥为原料以及采用自然工质的燃气机热泵系统.在该系统中,污水处理厂的污泥生成沼气,沼气在燃气机中燃烧带动压缩机运转;处理后的污水作为热泵系统的冷(热)源向建筑物提供冷(热)量.对该系统做了分析,讨论了循环流程和几个关键部分,建立了计算模型,采用了当量冷凝温度分析法,以自然工质CO2和R290作为热泵系统的工质做了对比分析.通过提出污水污泥以及利用自然工质的燃气机热泵系统,以充分利用可再生资源达到节能环保的目的,为环保的可持续发展提供一些思路.
关键词:
污水
,
污泥
,
沼气
,
燃气机热泵系统
,
膨胀机
熊毅
,
傅万堂
,
厉勇
,
吕知清
,
赵德利
,
邢广忠
,
孙淑华
钢铁研究学报
在Gleeble3500热模拟试验机上，用热压缩方法研究了原始组织为层片状珠光体的高碳钢在温度为913~973 K、应变速率为001~10 s-1范围内的温变形行为。结果表明：实验条件下，流变应力及峰值应变随变形温度的降低和应变速率的提高而增大。另外，回归出了高碳钢的峰值应力及峰值应变与变形温度、应变速率之间的关系，得到了相应的形变激活能和温变形方程式，为高碳钢的温变形工艺优化提供了理论依据。
关键词:
高碳钢;温变形;形变激活能;温变形方程
李洪峰
,
李嘉
,
王俊
材料导报
以天然棉花为模板,使用一种简单、环保的技术合成了具有纳米尺度、多孔结构的生物形态ZnO.棉花首先经过硝酸锌溶液浸渍,随后在自然气氛下高温煅烧得到ZnO纤维材料.研究表明,煅烧温度为400℃时,得到的ZnO纤维不但完全去除了作为模板的棉花,而且还保留了棉花的宏观形貌和微观结构特征.
关键词:
生物形态
,
模板
,
溶液浸渍
朱继芳
,
钟思智
,
邱福光
,
伍巧晖
,
翁起阳
,
秦文福
合成材料老化与应用
doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2000.01.002
本文介绍了以混甲酚和异丁烯为原料合成酚类液体抗氧剂,并测试了其在润滑油中的应用效果,结果显示了该液体抗氧剂具有较好的抗氧化性能.
关键词:
混甲酚
,
异丁烯
,
烷基化
,
催化剂
,
液体抗氧剂
周述慧
,
传秀云
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13462
以天然矿物埃洛石为模板,蔗糖为碳源合成了具有“壳-核”结构的中孔炭。通过 SEM、TEM、N2吸附、XRD、Raman、TG 对样品进行了形貌和结构表征。结果表明：模板炭具有一维管状结构,与埃洛石具有相似的形貌。经过700℃和900℃炭化后的模板炭比表面积达到了945 m2/g和1147 m2/g,孔容和中孔率也较埃洛石有了很大的提高。去除模板后得到的模板炭具有很高的纯度,为无定形炭。升高炭化温度,模板炭的拉曼特征参数R值降低,热分解温度由563℃提高到623℃。同时,对模板炭的形成过程及孔道形成机理进行了分析和讨论。
关键词:
埃洛石
,
模板
,
中孔炭
赫春香
,
王微
,
霍春宝
,
高峰
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2015.10.150056
研究了色素亮蓝对氢离子浓度大于1 mol/L溶液的颜色响应及其变色机理,并将其作为显色剂应用于高酸度试纸的研发.研究表明,固定于改性基纸上的亮蓝处于氢离子浓度为0.1～9.0 mol/L范围的介质溶液中时,其颜色变化表现出明显的酸度响应特征,即随着溶液酸度的提高,亮蓝逐渐由蓝色转化为蓝绿色、绿色、黄绿色直至黄色.该响应具有普适性,不受无机酸的种类与氧化性强弱的影响.采用分光光度法研究了溶液酸度对亮蓝光吸收特性的影响,提出其可能的变色机理.以亮蓝为显色剂开发出高酸度试纸,该试纸可以直接检测溶液中0.1～9.0 mol/L范围内的氢离子平衡浓度,精确度为±1 mol/L.
关键词:
亮蓝
,
酸度响应
,
高酸度试纸
,
变色机理
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要.利用智能剥离技术(Smart-cutprocess)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料.剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨TEM实验结果表明上层硅具有与衬底硅相似的结晶质量可满足器件制造的要求.
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
