位霄鹏
,
高保娇
,
施雪军
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2012.00292
通过氯甲基苯甲酸(CMBA)的Friedel-Crafts烷基化反应,对聚苯乙烯(PS)进行了功能化改性,将苯甲酸(BA)键合在聚苯乙烯侧链,制得了改性聚苯乙烯(BAPS),采用红外光谱、核磁共振氢谱及紫外吸收光谱等测试技术对其进行了结构表征,考察了影响CMBA与PS之间Friedel-Crafts烷基化反应的主要因素.结果表明,适宜的反应条件为:70℃,以N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,SnCl4为催化剂.使BAPS与Tb(Ⅲ)离子配位,制得高分子-稀土配合物BAPS-Tb(Ⅲ),该配合物不仅发射出Tb3+离子的特征荧光,而且大分子配基BAPS对Tb3+离子的荧光发射显示出很强的敏化作用.
关键词:
聚苯乙烯
,
对氯甲基苯甲酸
,
Friedel-Crafts烷基化反应
,
高分子-稀土配合物
,
敏化作用
李丁
,
高保娇
,
位霄鹏
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00167
将偶联剂γ-氨丙基三甲氧基硅烷(AMPs)键合在硅胶微粒表面,得到改性微粒AMPs-SiO2;使改性微粒表面的氨基与溶液中的过硫酸铵构成氧化-还原引发体系,实现了甲基丙烯酸(MAA)在硅胶微粒的表面引发接枝聚合,制得了高接枝度(0.30 g/g)的接枝微粒SiO2-gPMAA;研究了影响表而引发接枝聚合的主要因素.结果表明,适宜的温度为40℃.已接枝到硅胶表面的聚合物层对后续的接枝聚合产生阻隔作用.适宜的引发剂用量为单体质量的1.1%,适宜的单体质量分数为5%左右.
关键词:
甲基丙烯酸
,
硅胶
,
氧化-还原引发体系
,
表面引发接枝聚合
,
接枝度
谢书银
,
袁鹏
,
万关良
,
李励本
,
张锦心
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.03.012
通过1200℃、1.5 h急冷热处理实验, 研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化. 实验结果表明, 硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高, 均使塑性形变更加严重. 位错密度为0.4～2×103 cm-2的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的3倍多, 1200℃急冷产生的形变量是770℃急冷的4倍. 无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错,且急冷温度越高, 产生的位错越多. 热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构.
关键词:
硅片
,
塑性形变
,
位错
,
热处理
吕洪君
,
郭俊旺
,
彭斐
,
吴天昊
,
解光军
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.01.005
量子电路是实现量子态幺正演化的手段,一位和两位门是构成量子电路的基础.Barenco用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能,张登玉在Barenco的工作基础上对用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能进行了改进.通过对Barenco方案和张登玉方案的分析和研究,提出了一个用基本的两位量子逻辑门实现n位量子逻辑门功能的新方案,该方案结构更简单,且所用的两位门更易于实现,同时指出和改正了张文的不太准确的结论.
关键词:
量子信息
,
量子逻辑电路
,
量子逻辑门
,
幺正变换
,
Toffoli门
程万军
,
黄良驹
,
刘化民
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2004.05.010
为了探讨20CrMnTi钢的冷变形强化过程位错密度的分布与位错形态,采用X射线衍射法及多晶单线付氏分析理论,在实验基础上测量了不同应变量冷变形时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度及加工硬化的关系,利用透射电子显微镜对冷镦粗件的位错形态进行了观察.结果表明,位错密度随变形量的增加而提高,同时,随变形量增加加工硬化效果增强,晶体位错形态为"曲折"形位错线,应变量较大时位错呈胞状结构.
关键词:
位错密度
,
位错形态
,
冷变形
高英俊
,
卢成健
,
黄礼琳
,
罗志荣
,
黄创高
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00308
采用晶体相场模型模拟了小角度对称倾转晶界结构及其在外加应力作用下的晶界演化消失过程,从位错的运动形式和体系自由能的变化,分析晶界的消失过程和位错的反应机理,并计算了位错分解的激活能.研究表明,具有二维三角晶格原子点阵结构形成的小角度对称倾转晶界是由配对的双位错按直线规则排列构成,可以看成由2套位错Burgers矢量组成.晶界的消失演化过程主要分为6个特征阶段,包括如下几方面的特征过程:首先晶界位错攀移,然后发生位错分解,晶界发射位错,位错由攀移运动转化为作滑移运动;接着滑移位错穿过晶粒内部,直到对面晶界上湮没,即被晶界吸收与合并;剩余的晶界位错继续作攀移运动,然后又出现位错分解,晶界再次发射位错,使得位错转为作滑移运动,与其它作滑移运动的位错在晶内相遇湮没消失.最后,所有晶界和位错全部消失,双晶结构变成为完整的单晶结构.应用三角晶系的点阵位错的2套基本Burgers矢量的组合,可以有效地表示位错的发射、分解、合并、吸收、湮没的反应过程,并能够揭示出这些反应过程的新Burgers矢量的产生和原有的Burgers矢量的消失,以及Burgers矢量方向发生变化的机理.
关键词:
晶界
,
位错反应
,
应变
,
晶体相场模型
