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从储氢合金的研究分类,采用的技术手段等方面,综述了MH-Ni电池负极用储氢合金的研究与发展.详细论述了AB5型和AB2型储氢合金的研究进展,并对储氮合金的未来发展方向进行了展望.

InP/GaAs低温键合的新方法

通过对InP/GaAs异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合.界面电流-电压(I-V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流-电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联.同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明450℃样品的键合强度优于350℃样品.最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨.

关键词: 低温键合 , 磷化铟 , 砷化镓 , I-V特性 , 键合强度

均相沉淀法制备α-Ni(OH)2及其电化学性能研究

张倩 , 徐艳辉 , 王晓琳 , 何国荣 , 林克芝

稀有金属材料与工程

采用均相沉淀法制备了可以在强碱性溶液中稳定存在的Al代α-Ni(OH)2.X射线衍射和扫描电子显微镜测试表明,试样结晶度很高,形貌为细小颗粒的团聚.采用恒流充放电测试方法研究了所制备的a-Ni(OH)2的放电比容量.结果表明,试样的放电比容量较高,可以达到290 mAh/g,而且充放电的极化程度小.

关键词: 均相沉淀法 , α-Ni(OH)2 , 镍氢电池

添加金属铜对MH-Ni电池的内压及其他性能的影响

孙杰 , 吴锋 , 李汉军 , 何国荣 , 单忠强 , 唐静

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2001.02.006

研究了添加铜对MH-Ni电池循环初期的内压、容量及自放电等性能的影响.研究结果表明,添加铜可以降低MH-Ni电池的充电内压,降低电池的容量,加大电池的自放电.

关键词: MH-Ni电池充电内压 , 自放电

钴的添加方式对α-Ni(OH)2电化学性能的影响

张倩 , 徐艳辉 , 王晓琳 , 何国荣

稀有金属材料与工程

采用化学共沉淀法制备了可以在强碱性溶液中稳定存在的α-Ni(OH)2,比较了物理添加Co粉、晶格掺杂Co2+以及表面包覆Co(OH)2等Co的不同添加方式对α-Ni(OH)2电化学性能的影响.利用X射线衍射(XRD)对电极循环过程中的结构变化进行了表征,采用恒流充放电测试方法研究了所制备的α-Ni(OH)2在不同电流密度下的放电比容量.结果表明3种方式添加Co都可以在一定程度上提高样品的循环稳定性和大电流放电比容量,其中以表面包覆Co(OH)2的方式效果最为明显.

关键词: α-Ni(OH)2 , 镍氢电池 , 电化学性能 , Co

GaAs/InP键合电学性质的研究

何国荣 , 渠红伟 , 杨国华 , 郑婉华 , 陈良惠

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.04.015

Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少.采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型.利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度.实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性.

关键词: 材料 , 界面态密度 , 热电子发射 , 键合

新型质子交换膜材料及其改性方法研究进展

庄铭军 , 何国荣 , 王晓琳

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2004.06.010

综述了燃料电池用各种质子交换膜(PEM)材料及其改性方法.PEM材料包括全氟磺酸型离子交换树脂、聚苯并咪唑(PBI)、聚醚醚酮(PEEK)以及各种新型聚合物、嵌段共聚物等,而将这些材料制成PEM所采用的改性方法可分为磺化、酸基络合、杂化、共混、共聚、以及辐射接枝、等离子体等改性处理.还介绍了各种PEM材料的物性特点和PEM材料改性方法及其最新PEM研究报道.

关键词: 燃料电池 , 质子交换膜 , 质子交换膜燃料电池

Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟

陈松岩 , 何国荣 , 谢生

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.020

研究Si/Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义.分析了亲水处理方法键合的不同Si/Si键合结构的I-V特性,然后用SOS模型对n-Si/n-Si的C-V特性做了计算机辅助模拟,并和实际C-V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din,这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的.

关键词: 半导体物理 , 键合 , 半导体/氧化层/半导体模型(SOS) , 界面态