于琳
,
韩新海
,
王冠中
,
揭建胜
,
廖源
,
余庆选
,
方容川
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.01.012
本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜,并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析,X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比,F/Mg原子比在1.9～2.1之间,接近于体材料;在可见光波段其光学透过率为60%～80%,在红外波段更是达到了90%以上,由KK变换计算MgF2的折射率大约为1.39,也接近于体材料的折射率1.38.
关键词:
薄膜光学
,
脉冲激光淀积
,
MgF2薄膜
,
透过率
周朝迅
,
廖源
,
周献亮
,
余庆选
,
董振超
低温物理学报
我们通过化学气相沉积法成功地在石英、蓝宝石和SiO2/Si衬底表面生长出单层二硫化钼,然后将SiO2/Si表面的样品转移到金膜和另一片SiO2/Si衬底表面,并对这四种不同衬底上的单层二硫化钼的荧光光谱和拉曼光谱进行研究.结果发现不同的衬底可以通过两种方式影响二硫化钼的拉曼和荧光光谱:一是应力作用使E21g拉曼特征峰发生移动,同时改变直接带隙的带宽;二是不同类型的掺杂影响A1g拉曼特征峰位,并改变光跃迁中的中性激子辐射复合和带电激子辐射复合过程的比重,从而使荧光光谱中的A1峰位发生移动.
关键词:
单层二硫化钼
,
荧光光谱
,
拉曼光谱
,
应力
,
掺杂
刘卫平
,
余庆选
,
田宇全
,
廖源
,
王冠中
,
方容川
无机材料学报
采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.
关键词:
孪晶
,
HFCVD
,
boron doping diamond films
,
null
蒋振龙
,
黄晓桦
,
丁俊峰
,
余庆选
,
李晓光
低温物理学报
本文对La2/3Sr1/3 MnO3单晶中b和a(c)轴方向的磁热效应进行了研究,由于晶体的磁晶各向异性,磁热效应表现出一定的各向异性.通过不同温度下的等温起始磁化曲线的实验分析表明,在外加场为10kOe的情况下,b和a(c)轴方向的磁熵变-△SM(H)在370K达到最大值,分别为1.942Jkg-1 K-1和1.873Jkg-1K-1.低场下较大的磁熵变是由于磁化强度随外场迅速变化以及自旋-晶格的耦合造成的.La2/3Sr1/3 MnO3单晶在低场下表现出相对较大的磁热效应,表明其在磁制冷方面有一定的潜在应用价值.
关键词:
磁热效应
,
磁晶各向异性
,
磁熵变
,
磁制冷
牛晓滨
,
廖源
,
常超
,
余庆选
,
方容川
无机材料学报
在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
关键词:
HFCVD
,
SiCN films
,
α-Si3N4
金运姜
,
余庆选
,
刘书见
,
廖源
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.01.009
利用脉冲激光沉积方法(PLD),在Si(100)衬底上生长了银掺杂的氧化锌薄膜(ZnO:Ag),所用的激光波长分别是1064 nm和355 nm.通过x射线衍射分析发现,两种不同激光沉积样品的晶体结构有很大的区别.此外,由1064 nm激光制备的ZnO:Ag薄膜,在氧气中800℃的条件下退火一个小时后,在其光致发光(PL)谱中发现,样品的紫外发光峰强度随薄膜中Ag含量增加而急剧增强,但在同样条件下处理的由355 nm激光制备的薄膜,没有观察到类似现象.经过分析和比较,我们认为这种紫外发光增强的特殊现象,是ZnO:Ag薄膜中的纳米Ag颗粒所引起的局部等离子共振而导致.
关键词:
薄膜光学
,
氧化锌
,
光致发光
,
局部等离子共振
张吉明
,
廖源
,
张五堂
,
余庆选
,
傅竹西
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.022
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较,也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认.
关键词:
材料
,
氧化锌薄膜
,
脉冲激光沉积法
,
金刚石
,
应力
谢学武
,
廖源
,
张五堂
,
余庆选
,
傅竹西
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.017
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响.实验发现采用此种方法在650℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375℃左右从非晶转向结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量.
关键词:
材料
,
溶胶凝胶法
,
ZnO薄膜
,
c轴择优取向
,
退火
