付兴华
,
侯文萍
,
侯宪钦
,
杨春霞
,
董友军
,
文福民
,
孙景旭
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2001.03.003
本文采用了X-ray衍射、扫描电镜、孔结构分析等多种测试方法对公路粉煤灰水泥的水化产物及水化机理进行了研究。实验结果表明,公路粉煤灰水泥的主要水化产物为C-S-H凝胶、钙矾石及少量的Ca(OH)2。C-S-H凝胶的Ca/Si比较低,并固溶了大量的Al3+、Fe3+、K+、Na+等。Ca(OH)2含量较低,并在水化7天后呈降低的趋势,而化学结合水则逐渐增加。水泥石的总空隙率随着水化龄期的延长而逐渐降低,大于1000的大孔体积率较低,而小于500的微孔及凝胶孔体积率较高。大量的针棒状AFt晶体与C-S-H凝胶相互连接,使得结构致密,具有较好的物理性能。
关键词:
公路粉煤灰水泥
,
水化产物
,
化学结合水
,
孔结构
,
水化机理
付兴华
,
方舟
,
傅正义
,
单连伟
,
丁碧妍
,
韦其红
,
侯文萍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.03.010
采用溶胶-凝胶法制备了Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3薄膜(Nb=0-4.12mol%),采用HPAgilent 429A阻抗分析仪等测试方法研究了微量元素铌对Ba0.5Sr0.5NbzTi1-zO3(BSNT)薄膜介电性能的影响.当Nb分别为0-4.12mol%时,相对介电常数εr降低而介质损耗tanδ均得到了改善,当测试频率为1kHz,tanδ由0.09降低到0.067;居里温度Tm逐渐移向低温;在测试频率2.0-10MHz范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性.采用XRD、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征.薄膜为四方钙钛矿晶体结构,但Nb的溶入改变了晶胞参数的c/a比,减小了薄膜的晶粒尺寸,提高了薄膜的致密度.
关键词:
SBT薄膜
,
介电常数
,
介质损耗
,
Nb施主掺杂
,
结构特征
侯宪钦
,
周丽玮
,
陈学江
,
陶文宏
,
付兴华
,
侯文萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.03.014
研究了微量元素铋对Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3薄膜介电性能的影响.当X分别为0~0.030 mol时,相对介电常数εr、介质损耗tanδ逐渐降低,最大介电常数温度点Tm(居里温度点)逐渐移向低温;在所测试频率范围内,εr、tanδ均能表现出较好的频散特性;当铋掺量为0.015mol时,薄膜的Pr为0.22μC/cm2、Ps为0.32μC/cm2、Ec为60kV/cm.采用XRD、FTIR、TEM等测试方法分析了薄膜的结构特征.薄膜的矿物组成为四方钙钛矿结构,但[TiO6]八面体特征吸收峰(471.65cm-1)移向低波数,晶粒粒径减小.
关键词:
BST薄膜
,
介电常数
,
介质损耗
,
Bi施主掺杂
,
结构特征
韦其红
,
陶文宏
,
付兴华
,
侯文萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.04.005
用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用sol-gel工艺在Pt/TiO/SiO/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5-xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃.通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌.采用美国HP Angilent 4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能.实验结果表明:掺镁Sr05Ba05.xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba05Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低.介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势.
关键词:
钛酸锶钡薄膜
,
X射线衍射
,
介频谱
,
介温谱
黄世峰
,
侯文萍
,
王英姿
,
付兴华
,
王晓轩
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.06.009
以正硅酸乙酯(TEOS)、硝酸镁(Mg(NO3)2*6H2O)、硝酸铝(Al(NO3)3*9H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法制备了堇青石纳米晶粉体.利用DTA,XRD,SEM等测试手段对堇青石晶粉体进行了表征,并分析讨论了不同的热处理温度对堇青石烧结性能的影响.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
堇青石纳米晶粉体
,
烧结性能
付兴华
,
傅正义
,
丁碧妍
,
单连伟
,
韦其红
,
侯文萍
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.02.018
采用HPAgilent4294A阻抗分析仪、XRD、TEM等测试方法研究了不同电阻率硅片对Sr0.5Ba0.5TiO3(SBT)薄膜结构与性能的影响.在测试频率为1KHz时,在高阻硅片上生成的SBT薄膜的相对介电常数εr,介质损耗tanδ分别为100.54,0.060,材料的介电性能相对提高,并表现出较好的频散特性;最大εr温度点Tm(居里温度)稍微移向高温.在高阻硅片上制备的SBT薄膜易生成四方钙钛矿结构,薄膜表面无裂纹,孔洞少,比较致密,晶粒的平均粒径均为80nm,分布均匀;晶格条纹间距约为0.296nm,晶界2侧的晶粒取向是随机的.
关键词:
硅基片
,
SBT薄膜
,
介电性能
,
结构特征