欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(4391)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

纯铜表面涂层制备方法的研究进展

孙方红 , 马壮 , , 陆小龙 , 鲍文杰

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.03.026

总结纯铜表面涂层的研究现状,介绍热喷涂法、冷喷涂法、电火花沉积法、激光熔覆法、热化学反应法、复合法制备涂层的研究成果,分析各种制备方法的优缺点,展望今后纯铜表面涂层的发展方向.

关键词: 纯铜 , 涂层 , 研究进展

渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺率的影响

晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产

甲基磺酸锡与硫酸锡镀哑光锡的比较

张振华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007

从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸锡和硫酸锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸锡镀哑光锡和硫酸锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸锡的趋势.

关键词: 甲基磺酸 , 硫酸 , 镀层性能 , 镀液性能 , 成本

短沟道SiC MESFET阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成阈值电流随栅压的变化越快.

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压

甲基磺酸锡合成工艺研究

李立清 , 曾台彪 , 梁飞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005

介绍了甲基磺酸锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.

关键词: 甲基磺酸 , 合成原理 , 产率 , 纯度

稳β-Ti合金设计方法

李群 , 王清 , 董闯 , 王英敏 , 羌建兵

钛工业进展

获得具有优异性能的稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化,而如何有效进行合金的成分设计是稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元稳β-Ti合金的设计方法,包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇+连接原子”结构模型的设计方法,其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计,为合金设计开辟了新的设计思想。

关键词: 稳β-Ti合金 , 成分设计方法 , 团簇结构模型

  • 首页
  • 上一页
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 下一页
  • 末页
  • 共440页
  • 跳转 Go

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词