骆广生
,
刘建刚
,
亓晻
,
吕阳成
,
汪家鼎
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2005.02.011
在两相电泳的基础上,针对含乙酸稀溶液的处理提出了两相电解电渗的技术.利用饱和水的正丁醇为有机相,以AM203阴离子交换膜为介质,开展普通电解电渗和两相电解电渗的研究工作,考察了浓度、电流密度等因素对电流效率、浓缩比以及水的电渗量的影响.结果发现较普通的电解电渗技术和两相电解电渗技术在浓缩比、水的电渗量的控制方面具有明显的优势,在本实验范围内,在两相电解电渗过程中基本没有发现水的电渗现象的发生,同样乙酸的回收率也可以达到100%.由此可以说明新的两相电解电渗技术对于环境稀溶液的处理是一种较为理想的方法.
关键词:
两相电解电渗
,
乙酸
,
回收
于灵敏
,
祁立军
,
范新会
,
刘建刚
,
严文
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.04.008
在外加电场的条件下,利用物理热蒸发法制备出定向排列的非晶硅纳米线,借助扫描电镜、X射线能谱分析仪和透射电镜等对硅纳米线进行了研究.结果表明:定向排列的硅纳米线以两种形式存在,一种是分散的平行排列,另一种是象麻花状的定向排列.同时,硅纳米线一般都处在两个结点之间;当电场不稳定时,可得到部分分叉的硅纳米线.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
刘建刚
,
范新会
,
陈建
,
于灵敏
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
关键词:
热蒸发
,
硅纳米线
,
气-液-固机制
,
氧化辅助生长机制
于灵敏
,
范新会
,
刘建刚
,
刘春霞
,
严文
材料导报
主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌,分析其化学成分及晶体结构,研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程,讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用.
关键词:
硅纳米线
,
定向排列
,
外加电场
,
带电团簇模型
刘春霞
,
严文
,
范新会
,
刘建刚
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.029
在外加电场的作用下,用物理热蒸发法制备出了定向生长的硫化镉纳米带.借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电镜(TEM)对硫化镉纳米带的形貌、成分和晶体结构进行了分析.结果表明:当外加电场为400 V,蒸发温度为1150℃,环境压力为150 torr,气体流量为50 SCCM时,可制备出平均宽度为25μm,厚80nm,长达几毫米的定向生长的硫化镉纳米带.
关键词:
物理热蒸发法
,
外加电场
,
硫化镉纳米带
刘建刚
,
范新会
,
严文
,
于灵敏
,
刘春霞
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.031
采用热蒸发锌(Zn)粉的方法,制备出高产量的由半导体氧化锌纳米线组成的蒲公英花状和四角锥状纳米结构.利用SEM、TEM和X射线衍射对产物的形貌及结构进行了分析.结果表明,所生成的是具有六方结构的单晶ZnO纳米线.纳米线长约5-10μm,根部直径较粗,约110-120nm;梢部较细,约25-30nm,其生长机制为气-固(VS)机制.
关键词:
热蒸发法
,
氧化锌纳米线
,
气-固机制
于灵敏
,
范新会
,
刘春霞
,
严文
,
刘建刚
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2004.03.027
在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响.结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制;无论外加电场存在与否,沉积温度越高,硫化镉晶须越粗越长,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长,这可以由带电团簇模型来解释.
关键词:
硫化镉晶须
,
电场
,
带电团簇模型
