区铁
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刘建功
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张捷宇
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周文英
金属学报
在热力学和传输现象的基础上研究了ＲＨ－钢包系统中的定向环流. 结果表明, 真空度稳定时, Ｑ∝Ｈ＾１／３Ｇ＾１／３Ｄ＾４／３；真空度变化时, Ｑ∝Ｇ＾１／３Ｄ＾４／３「ｌｎ（ｐ１／ｐ２）」＾１／３.
关键词:
真空脱气
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null
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null
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null
,
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邰春艳
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殷小玮
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张立同
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成来飞
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刘建功
复合材料学报
通过多次重复先驱体浸渍裂解（PIP）工艺过程，改变材料的孔隙率和体密度，制备不同孔隙率的三维针刺碳／碳（C／C）复合材料，并研究了在8．2-12．4GHz频率范围内（x波段）不同孔隙率C／C复合材料的电磁屏蔽效能。结果表明：适当降低孔隙率有利于提高C／C复合材料的总电磁屏蔽效能和电磁吸收屏蔽效能，当开气孔率为33．4％时，C／C复合材料具有最大的电磁屏蔽效能（40dB），且电磁吸收屏蔽效能（30dB）远大于电磁反射屏蔽效能（12dB），是极具潜力的高吸收低反射电磁屏蔽材料。
关键词:
C/C复合材料
,
PIP工艺
,
孔隙率
,
电磁屏蔽性能
刘建功
,
殷小玮
,
成来飞
,
张立同
,
王琴
复合材料学报
为了降低液硅渗透法制备C／C—SiC复合材料中残留Si的含量，采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12（C，Si，B）3改性C／C—SiC复合材料。通过分析不同比例B4C—Si体系在不同温度的反应产物，确定了B12（C，Si，B）3的生成条件。结果表明：B4C和Si在1300℃开始反应，生成少量B12（C，Si，B）3和SiC，且B12（C，Si，B）3的生成量随反应温度的升高而增加；当B4C和Si的摩尔比为3：1、反应温度为1500℃时，产物为B12（C，Si，B）3和SiC液硅渗透法制备的C／C—SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12（C，Si，B）3，未见残留Si。
关键词:
复合材料
,
C
,
C—SiC
,
B12(C，Si，B)3
,
浆料浸渗
,
液硅渗透
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
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李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
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李国霞
,
赵维娟
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承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
金属学报
<正> 我国古代冶铁技术发展史上,两汉是一个重要的发展时期。无论从冶铁业的规模、冶铸技术的进步还是铁器的广泛使用,都明显地进入到一个新的阶段。这对于以后社会的政治、军事、经济以及科学技术的发展,都有深远的影响。“人民,只有人民,才是创造世界历史的动力。”冶铁技术在西汉时期迅速发展,首先是由于劳动人民在生产实践中的创造。加之公元前二○九年,陈胜、吴广领导农民揭
关键词:
