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不锈钢成形极限曲线图(FLD)拉压区试验研究

王丽英 , 彭忠义 ,

物理测试

采用不同试样形状和不同润滑方式对成形极限曲线图左半部分试验的影响进行研究,找出了试样形状及润滑方式对不锈钢薄板成形极限曲线图左半部分的影响规律,提出了进行不锈钢薄板成形极限曲线图左半部分试验用最佳试样系列及润滑方式.

关键词: 成形极限曲线图,试样形状 , 润滑方式

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

试论“稀土贸易”与我国稀土产业可持续发展

薛峰

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2012.04.021

稀土产业作为中国战略产业为中国工业发展乃至世界稀土应用发展做出了巨大的贡献.然而随着稀土国际市场的变化,特别是国家对稀土资源的保护性开发政策的密集出台,过去国内稀土产业集中度低、无序非法开采所带来的诸多问题有所缓解,但是稀土产业的结构性矛盾仍然突出,在国际稀土市场发达国家借助其技术优势希望继续利用廉价中国稀土资源同中国限制性出口政策引发的贸易,为中国带来了稀土产业良性发展良好初衷与受到违背世贸组织协定责难的两难.究竟如何科学良性发展稀土产业与保护国家重要战略资源已成为政府、企业界需要认真思考的战略性问题.

关键词: 稀土 , 贸易 , 战略

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

涂料概述

王连杰 , 高焕方

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2004.06.005

重点对吸涂料的吸机理以及粘结剂和吸收剂种类进行了论述,并对吸涂料的发展趋势进行了简单描述.

关键词: 吸收剂 , 涂料 , 隐身涂料

毫米/厘米兼容吸涂层的设计与研究

于名讯 , 丁文皓 , 李云南 , 何华辉

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003

以电磁理论为基础,对两层结构的毫米/厘米兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米和厘米实现较好的吸收,然后以厘米吸收层作为内层,以毫米吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米和厘米实现较好的兼容吸收.

关键词: 兼容吸涂层 , 毫米 , 厘米

材料的研究进展

王海泉 , 陈秀琴

材料导报

综述了目前国内外吸材料的研究动态,介绍了传统吸材料以及新型吸材料,如铁氧体吸材料、碳纤维结构吸材料、纳米吸材料、手性吸材料,多晶铁纤维吸材料,导电高聚物吸材料,雷达红外兼容吸材料的研究状况.

关键词: 材料 , 隐身技术 , 吸收剂 , 纳米材料

SiC(N)/LAS吸材料吸性能研究

罗发 , 周万城 , 焦桓 , 赵东林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011

研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸材料介电常数对温度的敏感性,使吸材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸材料对电磁的损耗进一步升高,从而使吸材料的吸性能得到增强.

关键词: 纳米SiC(N) , LAS玻璃陶瓷 , 介电常数 , 界面层 , 材料

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