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WC-Co硬质合金的微观结构与形变过程的电子衍衬研究

, 黄孝瑛 , 段石田 , 邵大琴 , 崔玉梅 , 姚振梅

金属学报

用透射电子显微术(包括弱束技术)对WC-12%Co硬质合金的形变和裂纹扩展过程及粘结相的相变机制进行了电子衍衬研究。研究指出:合金的形变行为取决于粘结相Co的协调应变的能力,裂纹扩展的特征形貌和WC及Co相的滑移结构及界面的性质有直接关系。裂纹在WC中、在WC/WC以及WC/Co界面呈直线传播,而在粘结相中则表现为“Z”字形特征。β-Co(fcc结构)在室温下不稳定,在不大的相变驱动力(例如,合金承受形变)作用下,很容易向hcp结构的ε-Co转变。这种转变的过程是:经由β-Co中的层错片加厚和长大,最终形成稳定的hcp结构ε-Co。

关键词:

钢铁行业知识产权工作回顾与“十二五”展望

中国冶金

统计分析了中国主要钢铁企业"十一五"期间专利申请情况,在国家大好形势的影响下,钢铁企业知识产权管理形势喜人。"十二五"期间钢铁行业应进一步完善知识产权管理机构、加强专业人员培训、加强专利技术实施转化、充分利用国内外专利文献和科技信息资源,使其在企业自主创新中发挥作用。

关键词: 知识产权 , 钢铁行业 , 专利文献

中国炼铁专利申请情况及分析

中国冶金

利用现代网络技术和专利调研分析软件,对中国钢铁行业炼铁技术领域的专利申请进行了全面调研分析。分析了中国炼铁专利申请现状、发展趋势、技术热点,分析了国外来华申请情况并与中国申请情况作了比较,并提出了应予重视的几个问题。

关键词: 钢铁行业 , 专利申请 , 高炉 , 炼铁

特数对槽内热磁耦合流动换热影响

张晓晖 , 刘大为 , 魏琪

工程热物理学报

针对矩形槽内导电流体普特数分别为 0.01、1、100 时,进行了流动形态和换热的数值模拟研究.数值结果表明:普特数对流动、温度分布影响不同,从而影响到对流换热的强弱,低普特数流体热浮升力作用大,流动以热驱动为主,换热强度弱,发现在低普特数下,数值模拟得出的努赛尔数并不能收敛到某一定值,而是在一个区间范围内"来回振荡";高普特数流体,电磁力作用大,流动以电磁力驱动对流作用,换热随着哈特数的增加而得到很大提高.

关键词: 特数 , 对流换热 , 数值模拟

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

勃壁温度场分析

杨昭 , 徐晓丽

工程热物理学报

对特勃壁内传热过程和夹层空气动力进行分析,建立了CFD数值模拟模型,耦合流固传热,利用Reliable k-ε两方程模型模拟了特勃壁内温度场.对集热墙体材料、墙体高度、空气层厚度、通风孔尺寸、金属板表面涂层材料性质及室外气象参数等影响因子进行分析,给出了适宜的结构形式和材料组成.所得结论将有利于推进太阳能-建筑-体化技术的发展.

关键词: 太阳能建筑 , 温度场 , CFD , 勃壁

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

基于缪尔探针的硅离子空间分布特性及纳米晶粒生长过程研究

邓泽超 , 刘海燕 , 张晓龙 , 褚立志 , 丁学成 , 秦爱丽 , 王英龙

人工晶体学报

在室温、10 Pa氩气环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,在以烧蚀点为圆心、半径为2 cm的玻璃弧形支架的不同角度处放置衬底,沉积了纳米Si晶薄膜.通过扫描电子显微镜、拉散射仪对制备样品的形貌和特性进行分析.结果表明:纳米Si晶粒以羽辉轴线为轴呈对称分布,在轴线处平均尺寸最大,随着衬底同轴线夹角的增加,晶粒尺寸逐渐减小.结合缪尔探针对空间不同位置羽辉中Si离子密度和热运动温度分布的诊断情况,从晶粒生长过程的角度对其尺寸随空间位置变化的结果进行了研究,得到了晶粒尺寸正比于烧蚀粒子密度和热运动温度的结论.

关键词: 纳米Si晶薄膜 , 脉冲激光烧蚀 , 空间分布 , 缪尔探针

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