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硅表面纳米图案化制作技术的研究进展

陈长春 , 余本海 , 刘江 , 王林

材料导报

Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提.根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件.介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术.

关键词: 硅材料 , 制备技术 , 纳米图案化

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

陈长春 , 刘江 , 余本海 , 涂有超 , 戴启润

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.024

随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限.传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化.此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升.因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能.本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向.

关键词: 高介电常数材料 , 应变硅 , 金属栅极

角钻头钻削碳纤维增强树脂基复合材料研究

刘洋 , 李鹏南 , 陈明 , 邱新义 , 胡立湘

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2015.06.012

采用双角钻头和普通麻花钻对T700碳纤维复合材料(CFRP)进行钻削试验,从钻削轴向力、制孔出口质量和表面粗糙度等方面分析双角钻头在不同加工参数下制孔特点,并与普通麻花钻进行对比.试验结果表明:与普通麻花钻对比,双角钻头钻削CFRP时钻削轴向力减小约20%,制孔出口质量更好,孔壁的表面粗糙度值减小,体现优异的切削性能更适合CFRP的制孔加工.

关键词: 角钻头 , CFRP , 钻削轴向力 , 出口质量 , 孔壁表面粗糙度

角钻头钻削碳纤维增强树脂基复合材料钻孔缺陷的研究

刘洋 , 李鹏南 , 陈明 , 邱新义 , 唐玲艳

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2016.05.010

针对碳纤维复合材料钻孔时易产生撕裂、毛刺等缺陷的特点,采用双角钻头为研究对象,从横刃、第一主切削刃和第二主切削刃对孔入、出口缺陷的影响和加工参数对撕裂因子的影响规律等方面分析双角钻头钻孔特点,并与普通麻花钻进行对比.结果表明:在相同的加工参数下,双角钻头双主切削刃加工特点降低了入、出口钻削轴向力,有效抑制了入、出口撕裂、毛刺等缺陷产生,更适合于钻削碳纤维复合材料.主轴转速增大有利于减小撕裂因子,随着进给速度的增加撕裂因子呈增大的趋势.采用多元线性回归方法建立了试验两种钻头钻孔入、出口的撕裂因子与加工参数之间的回归预测模型.

关键词: 角钻头 , 碳纤维复合材料 , 撕裂 , 加工参数

严重的灾害 亲切的关怀 巨大的力量——用抗震复产的新胜利悼念毛主席、爱戴华主席

金属学报

<正> 一九七六年七月二十八日凌晨,强烈地震使我们遭受严重困难,九月九日,我们失去了伟大的领袖和导师毛主席而沉浸在极其悲痛之中。正当我们遵照中央指示,化悲痛为力量,夺取抗震救灾和恢复生产的节节胜利的时候,传来了华国同志任中共中央主席、中央军委主席,以华国主席为首的党中央一举粉碎了王洪文、张春桥、江青、姚文元反党集团篡党夺权阴谋的伟大历史性胜利的特大喜讯。十月的唐山,十里的长街,到处都洋溢胜利的喜悦,响彻欢庆的锣鼓,为我们党又有了自己的英明领袖华国

关键词:

近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

朱兴华 , 杨定宇 , 孙辉 , 魏昭荣 , 李乐中 , 杨维清 , 祖小涛

功能材料

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。

关键词: 近空间升华法 , PbI2厚膜 , 沉积速率 , 压应力 , 六方中心 , 发光峰

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