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20CrMnTiH钢奥氏体晶粒长大规律及有限元模拟

, 陈文琳 , 王梁 , 陈国强 , 秦学枫

材料热处理学报

通过金相实验,对20CrMnTiH钢在不同加热温度(850 ~1150℃)及保温时间(10 ~40 min)下的晶粒长大规律进行了研究,基于所得数据,通过回归分析建立了适用于此种材料加热与保温过程的奥氏体晶粒长大模型,并将该模型引入有限元软件对奥氏体晶粒长大行为进行数值模拟.结果表明,奥氏体晶粒尺寸随加热温度升高而增大,且长大速度越来越快,随保温时间延长而增大,且长大速度不断减缓;1000℃为20CrMnTiH钢的粗化温度,T≤1000℃时,晶粒长大缓慢,T≥1000℃时,晶粒急剧长大;有限元软件成功模拟了奥氏体晶粒长大过程,模拟结果与实验结果相符.

关键词: 20CrMnTiH , 晶粒长大模型 , Sellars模型 , 有限元模拟

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

涂料概述

王连杰 , 高焕方

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2004.06.005

重点对吸涂料的吸机理以及粘结剂和吸收剂种类进行了论述,并对吸涂料的发展趋势进行了简单描述.

关键词: 吸收剂 , 涂料 , 隐身涂料

毫米/厘米兼容吸涂层的设计与研究

于名讯 , 丁文皓 , 李云南 , 何华辉

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003

以电磁理论为基础,对两层结构的毫米/厘米兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米和厘米实现较好的吸收,然后以厘米吸收层作为内层,以毫米吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米和厘米实现较好的兼容吸收.

关键词: 兼容吸涂层 , 毫米 , 厘米

材料的研究进展

王海泉 , 陈秀琴

材料导报

综述了目前国内外吸材料的研究动态,介绍了传统吸材料以及新型吸材料,如铁氧体吸材料、碳纤维结构吸材料、纳米吸材料、手性吸材料,多晶铁纤维吸材料,导电高聚物吸材料,雷达红外兼容吸材料的研究状况.

关键词: 材料 , 隐身技术 , 吸收剂 , 纳米材料

SiC(N)/LAS吸材料吸性能研究

罗发 , 周万城 , 焦桓 , 赵东林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011

研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸材料介电常数对温度的敏感性,使吸材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸材料对电磁的损耗进一步升高,从而使吸材料的吸性能得到增强.

关键词: 纳米SiC(N) , LAS玻璃陶瓷 , 介电常数 , 界面层 , 材料

新型吸材料研究动态

赵九蓬 , 李垚 , 吴佩莲

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.02.027

综述了目前国内外新型吸材料的研究动态,介绍了吸材料的吸原理和新型吸材料,包括吸涂层材料如铁氧体、纳米吸材料、手性材料、雷达红外兼容吸材料、等离子体吸材料及结构型吸材料的最新研究现状.

关键词: 材料 , 涂层 , 结构型

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