薛玉明
,
孙云
,
李凤岩
,
朴英美
,
刘维一
,
周志强
,
李长健
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033
本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大...
关键词:
异质结
,
能带边失调值
,
CIGS
,
OVC
,
太阳电池
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强...
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
刘宗昌
,
计云萍
,
任慧平
,
袁长军
,
段宝玉
材料热处理学报
贝氏体铁索体在晶界形核的新观察验证了形核的一般规律.依据试验观察,理论计算得贝氏体临界晶核尺寸和形核功为:a*=16.7 nm;b*=25 nm,△G*=270 J·mol-1,此值合理.奥氏体中贫碳区的存在是普遍事实,试验也测得贝氏体相...
关键词:
贝氏体铁素体
,
晶界形核
,
扩散
,
切变
,
热激活跃迁
胡卫兵
,
史伯安
,
但悠梦
,
谭志斗
,
吴少尉
,
朱艳秋
,
徐文光
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011
在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二
关键词:
一维
,
二维
,
三维
,
Si基纳米线
,
制备
郭池
,
唐元洪
,
裴立宅
,
张勇
材料导报
一维硅纳米材料是重要的纳米电子器件材料,由于其形貌不同,导致的电学等特性也不相同,因此一
关键词:
一维硅纳米材料
,
纳米线
,
纳米带
,
纳米管
,
形貌
