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CIGS薄膜太阳电池异质结的结构初析

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.033

本论文通过实验制备得到CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)、CdS、ZnO三种半导体材料,然后根据这三种半导体的相关材料参数和实验数据,得出了它们形成异质结前后的能带图,并计算它们的能带边失调值ΔEC、ΔEV.其中,CdS/CIGS的导带边失调值ΔEc对高效率CIGS薄膜太阳电池的影响作用最大,为-0.298eV(高效电池的理想值范围为0～0.4eV),说明这对电池整体性能不是很好.

关键词: 异质结 , 能带边失调值 , CIGS , OVC , 太阳电池

评刘宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

关于贝氏体铁素体形核的评述——兼复徐祖耀《评刘宗昌等“贝氏体……”一文》

刘宗昌 , 计云萍 , 任慧平 , 袁长军 , 段宝玉

材料热处理学报

贝氏体铁索体在晶界形核的新观察验证了形核的一般规律.依据试验观察,理论计算得贝氏体临界晶核尺寸和形核功为:a*=16.7 nm;b*=25 nm,△G*=270 J·mol-1,此值合理.奥氏体中贫碳区的存在是普遍事实,试验也测得贝氏体相变孕育期内形成了贫碳区；不能将Spinodal分解与奥氏体中形成贫碳区和富碳区混为一谈.涨落是相变的契机,在孕育期内奥氏体中必由于涨落而形成贫碳区.阐述了非协同热激活跃迁形核机制.大量TTT图分析和实测均表明贝氏体铁索体形核-长大不可能以扩散方式进行.

关键词: 贝氏体铁素体 , 晶界形核 , 扩散 , 切变 , 热激活跃迁

一维结构中的发光特性

张雷 , 洪广言

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.018

具有低维结构尤其是一维结构的物质往往具有较特殊或更优异的性质.本文研究了具有一维结构的发光物质的发光特性与微观结构之间的关系,得到了某些规律,即在一维结构中,只有存在相对较短的M-O键才可能引起电荷迁移产生发光;在该化合物中M应为变价元素且低价态具有发光性质;一维键上的能量传输往往具有很高的发光猝灭浓度和可能存在发光中间体.

关键词: 一维结构 , 电荷迁移 , 发光

一维伊辛模型的相变-Ⅱ

田树旬

低温物理学报

找到了一个能够用矩阵法计算的新序参量,此参量既能给出有限数量格点时一维伊辛模型中存在相变,又能给出无限数量格点时相变消失的结果.利用此序参量求出了一个计算相变点的简洁近似公式.

关键词: 一维伊辛模型 , 相变 , 矩阵法

一维,二维和三维Si基纳米线的制备

胡卫兵 , 史伯安 , 但悠梦 , 谭志斗 , 吴少尉 , 朱艳秋 , 徐文光

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.011

在 Ar气氛中,SiC粉末分别在 Fe、 Co、 Fe:Co(1:1)的催化下,经一步反应制备了一维、二维和三维 Si基纳米线. SEM、 HRTEM、 EDX分析表明一维线状和二维网状 Si基纳米线由 C、 Si、 O组成,存在两类纳米线,一类是 SiOx包裹的 Si纳米线;另一类是 SiOx包裹的 SiC纳米线.三维Si基纳米线组成象花一样的结构,仅由 SiOx组成. SiOx和 Si是无定形结构,SiC是β-SiC单晶.

关键词: 一维 , 二维 , 三维 , Si基纳米线 , 制备

SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究

李镇江 , 范炳玉 , 孟阿兰 , 张猛

功能材料

综述了近年来SiC一维、准一维纳米材料制备工艺的最新研究进展,重点介绍了模板生长法、化学气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶-凝胶法的工艺特点,并对不同工艺方法制备的SiC一维、准一维纳米材料的微观形貌、优异性能进行了简要概述,总结了现阶段SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研究所面临的问题及发展前景.

关键词: SiC , 一维、准一维纳米材料 , 制备工艺

一维固化收缩应力的研究

夏雨 , 薛忠民 , 王继辉 , 单松高 , 周正亮

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2005.01.003

本文利用自制的测试固化应力的仪器测试研究了树脂固化时一维固化收缩应力的产生情况,然后通过低温固化低轮廓添加剂控制收缩,进一步测试研究其产生情况,观察了低收缩对固化应力的影响.

关键词: 树脂 , 固化应力 , 低收缩添加剂

一维β-SiAlON材料可控合成

彭犇 , 邱桂博 , 岳昌盛 , 张梅 , 郭敏

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13559

以 Si 粉、Al 粉和 Al2O3粉为原料压制成条样,在1650~1850 K 氮气和埋 Si3N4颗粒气氛下分别合成了β-SiAlON 晶须、带状和柱状晶,并系统研究了一维β-SiAlON 材料可控合成条件,进而结合热力学分析了一维β-SiAlON材料的生长机制。结果表明：以Si粉、Al粉和Al2O3为原料,在氮气(纯度99.9%)和埋Si3N4颗粒气氛下在1650~1850 K保温6 h,可以合成不同形貌的一维β-SiAlON材料。生长温度是一维β-SiAlON材料形貌控制的关键因素。生长温度为1650 K时,合成了β-SiAlON晶须,晶须直径200~400 nm,长径比100~1000；生长温度在1700~1800 K时,可以合成β-SiAlON带状晶体,厚度为200 nm,宽度为1~4μm,长宽比在10~20之间；生长温度升高至1800 K时,出现大量柱状晶体。结合晶须显微结构形貌和热力学分析,β-SiAlON晶须的生长机制为气-固(VS)生长机制。

关键词: 一维β-SiAlON材料 , 可控制备 , 生长机制 , 热力学