徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
王志华
,
高巍
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.01.012
汇总了纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络实验研究结果,实验表明,不同电压波形作用下闪络场强存在较大差异.纳秒脉冲闪络场强显著高于其它电压波形.分析认为纳秒脉冲闪络是一个不断向平衡状态逼近的过程,基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论(SEEA)适用于分析纳秒脉冲真空闪络问题.在纳秒脉冲闪络发生的微观过程中,阴极三结合点场致电子发射是真空闪络发生的必要条件,二次电子崩过程是闪络发展的必备环节.闪络过程在绝缘体表面脱附气体层中完成.
关键词:
纳秒
,
真空
,
闪络
,
阴极三结合点
,
二次电子崩
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
孟国栋
,
西小广
,
成永红
,
吴锴
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2012.03.016
选取高压真空绝缘体系中常用的环氧树脂为研究对象,通过添加不同粒径的纳米无机填料,分析不同填料对沿面闪络过程的影响.利用闪络过程光谱实时测量系统分别研究红外光、可见光及紫外光范围内的闪络发光光谱的时域波形,从发光光谱的角度分析闪络过程的发生和发展机理.结果表明:闪络光谱强度并不随闪络电压的升高而增强,纳米无机氧化物的添加会引入更多的深陷阱能级,且会增加高能光子的发射.
关键词:
真空沿面闪络
,
环氧树脂
,
光谱分析
,
深浅陷阱
,
电子发射
李志玮
,
周瑜
,
姚欢
,
冯亦佳
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2009.05.011
针对电力系统复合绝缘子污秽闪络产生的危害问题,提出了开展污秽闪络特性研究的重要性,研究了Nacl(盐密ESDD)一定的情况下,不同水泥污秽(灰密NSDD)对复合绝缘子污秽闪络特性的影响,研究结果表明:灰密对绝缘子人工污秽闪络电压也是有影响的,闪络电压与灰密成幂函数关系,并且灰密对闪络电压的影响是独立的.
关键词:
复合绝缘子
,
水泥
,
人工污秽试验
,
污秽闪络
张伟
,
张寿庭
,
王彦春
,
刘伟东
材料导报
基于"固体与分子经验电子理论(EET)"计算了高岭石的价电子结构,分析了相的空间键络分布,指出了存在的薄弱环节.硅氧四面体中最强键nA=1.37457和次强键nB=1.45692构成了坚固的网状结构;相对而言,铝氧八面体的键合较弱,键强分别为nC=0.38433、nD=0.39188;弱键集中于八面体与四面体的一侧连接上,造成了OI-OⅢ层间键合强度最弱,易于拆散.
关键词:
高岭石
,
价电子结构
,
键络结构
