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LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷

, 尚勋忠 , 孙锐 , 郭金明 , 周桃生 , 常钢 , 何云斌

人工晶体学报

采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料.LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点.实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950~1050℃,比未添加时的烧结温度低240~340℃.当w(LiBiO2) =1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε33T/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51 μC/cm2,体积密度p =7.45g/cm3.该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中.

关键词: PSZT压电陶瓷 , LiBiO2掺杂 , 低温烧结

PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜?

张蕾 , 方龙 , 攀克 , , 黎明锴 , 何云斌

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.05.042

采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系.首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al2O3(001)且ZnS(110)∥Al2O3(110)].进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO 缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积 ZnS 薄膜前先沉积一层 ZnO 薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2 min的 ZnO 缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°.本文结论对于研究 ZnS 薄膜制备光电器件具有重要的意义.

关键词: 脉冲激光沉积 , ZnS薄膜 , 缓冲层 , 外延生长 , 晶体结构

时间方法测量系统研究

康兰兰 , 郭兴 , 王蓉 , 康智慧 , 高锦岳

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20132805.0810

载流子迁移率是半导体材料的一项重要参数,而有机材料的载流子迁移率较低,限制了一些传统方法的使用.文章建立了一套用于测量有机材料载流子迁移率的渡时间(TOF)法实验系统,着重介绍了实验系统中各元件的作用及要求,实验关键技术参数等.该实验系统的主要特点是把激发光源同时作为外触发光源,消除实验中杂散信号的干扰,得到清晰的信号.同时利用实验系统对无机材料Se,有机共轭聚合物材料MEH PPV的载流子迁移率进行测量,结果表明:该实验系统组建方便,快捷,可以较好用于测量有机材料低载流子迁移率,具有一定的实用价值.

关键词: 时间 , 载流子迁移率 , Se , MEH-PPV

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

基于模型的超声波渡时间测量方法研究

姜燕丹 , 王保良 , 黄志尧 , 冀海峰 , 李海青

工程热物理学报

本文针对超声波气体流量计,提出了一种基于模型的超声波渡时间测量的新方法.该方法首先通过超声波接收探头获取声波信号,然后建立超声波接收信号从起振到稳定的数学模型,最后通过模型参数拟合得到渡时间参数最优值.作为初步研究,在内径100 mm管径下分别进行了静态和动态渡时间测量实验.研究结果表明,建立的超声波接收信号的模型是有效的,提出的基于模型的超声波气体流量计渡时间测量方法是可行的.

关键词: 超声波气体流量计 , 时间测量 , 数学模型 , 参数拟合

太赫兹硅雪崩渡时间二极管低温特性研究

吴涛 , 祝大龙 , 徐金平 , 王霄

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.004

本文给出了准确描述硅雪崩渡时间二极管工作特性的大信号仿真模型,研究了影响硅雪崩时间(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二极管工作状态的离化率和饱和漂移速度,考虑Si-IMPATT二极管热限制的条件下,计算了二极管的最大工作电流.通过大信号仿真分析,我们得到如下结果:(1)随着温度的降低,二极管输出功率提高;(2)随着温度的降低,二极管工作频率向高端偏移,本文还建立了液氮制冷环境下IMPATT振荡器的测试系统,与常温工作相比,77K低温环境下IMPATT二极管的输出功率提高了47.8%,频率也向高端偏移了6.3%,实验结果与仿真预测一致.

关键词: 太赫兹 , 硅崩越二极管 , 低温 , 频率特性 , 功率特性

Pr掺杂Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy体系维数渡的研究

孙雅琴 , 冯双久 , 李广 , 周海东 , 孙学峰 , 李晓光

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.03.004

研究了Pr掺杂的Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy单晶的三维磁通线向二维饼涡旋的渡.发现渡场B2D随温度的降低而缓慢增大,随Pr含量的增加而迅速减小.认为Pr离子掺杂导致局部超导电性被抑制,CuO2面有效超导面积显著减小,削弱了CuO2层间的Josephson耦合.

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