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纯化基因重组白细胞介素-2的初步研究

阎颖 , 郝茜 , 范国梁 , 赵秋雯 , , 王建林 , 万冬林

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2000.04.011

采用羟基磷灰石(HAP)作为填料,以pH 6.8的磷酸盐缓冲液为流动相,用制备型高效液相色谱来分离提纯基因重组白细胞介素-2(IL-2),通过SDS-聚丙烯酰胺凝胶(SDS-PAGE)电泳测定IL-2的纯度,测定其活性为1×106 U/mg.该法对IL-2的纯化、含量测定及活性测定等效果良好.

关键词: 制备型高效液相色谱 , 基因重组白细胞介素-2 , 羟基磷灰石

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

超滤用于道明胶脱盐

杨惠琳 , 侯丽琰 , 焦光联

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2004.05.018

采用明胶含量为6.7%,电导率为3 620μS/cm的道明胶溶液作为试验对象,应用平板式超滤试验装置进行了脱盐试验.探讨了明胶生产过程中第道胶液超滤脱盐的可行性及其工艺条件.结果表明,操作压力以0.5~0.6 MPa为宜;运转液温度宜保持在40~45℃.超滤脱盐采用在运转过程中逐渐加入洗脱水,使明胶溶液中的盐分随水透过超滤膜,从而达到脱盐的目的.加入和透过的洗脱水达到原液的3.5倍时,明胶溶液的电导率降低至350μS/cm,达到了脱盐要求.

关键词: 明胶 , 脱盐 , 超滤

辊拉矫机主要尺寸计算

于奎

连铸 doi:10.3969/j.issn.1005-4006.2006.05.011

辊拉矫机技术完善,结构紧凑,在弧形小方坯连铸生产中得到广泛的应用.论述了辊拉矫机的主要尺寸设计.

关键词:

我国耐火材料行业发展思考——“十二·”回顾与“十三·”展望

徐殿利

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2016.06.001

回顾了“十二·”期间我国耐火材料的生产、经营、进出口情况和耐火材料行业取得的成绩,介绍了2015年我国耐火材料及主要下游行业的运行情况及存在的问题,同时展望了“十三·”期间耐火材料面临的形势及行业发展走向.

关键词: 耐火材料 , “十二·”规划 , 耐火原料 , 耐火制品 , 进出口情况 , “十三·”规划 , 运行情况

铸铁金件的机械镀锌

王胜民 , 何明奕 , , 赵晓军 , 谭蓉

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.09.010

分析了铸铁金件表面存在的缺陷及其对镀锌层质量的影响.介绍了铸铁金件的表面处理工艺及其机械镀锌工艺流程.指出了各工艺注意事项.

关键词: 铸铁 , 金件 , 机械镀锌 , 表面缺陷

氧化二钽薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性

王超 , 庄大明 , 张弓 , 吴敏生

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.019

采用直流脉冲反应磁控溅射方法制备了高介电常数氧化二钽(Ta2O5)薄膜.利用Ta/Ta2O5/Ta的MIM电容结构分析了Ta2O5的电学性能,研究了上电极面积对Ⅰ-Ⅴ特性的影响、Ⅰ-Ⅴ曲线的对称性和零点偏移以及薄膜缺陷和基底粗糙度对MIM电学性能的影响.结果表明,随着上电极面积增大,电容的漏电流密度增大,击穿场强减小.氧化钽薄膜中缺陷的存在和粗糙度增大容易引起漏电流增大,击穿强度降低.当上电极直径为1 mm时,MIM电容的性能最佳:击穿强度为2.22MV/cm,漏电流密度低于1×10-8A/cm2.

关键词: 无机非金属材料 , 氧化钽薄膜 , 磁控溅射 , 金属-绝缘体-金属 , Ⅰ-Ⅴ特性

瓣星状初晶硅形核机制

桂满昌 , 贾均 , 李庆春

金属学报

过共晶Al-Si合金瓣初晶硅具有简单多面体原子团簇凝并形核的特点,热力学分析表明,低温熔体中预存的四面体和八面体硅原子团簇以重孪晶关系凝并是一自发过程.凝并后的多面体具有生长成瓣星状初晶硅的内在条件.小于晶核临界尺寸的原子团簇凝并后可成为稳定的瓣星状初晶硅生长的晶核.

关键词: Al-Si合金 , primary silicon , nucleation , agglomeration

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